[发明专利]半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，包括：

提供前端结构，所述前端结构形成有第一类型阱和第二类型阱，以及分别位于第一类型阱和第二类型阱上的栅极；

对所述前端结构进行第一次离子注入，以分别在第一类型阱和第二类型阱中栅极两侧形成第一注入区；

在所述第一类型阱上和第二类型阱的栅极上形成第一掩膜层，并对所述第二类型阱进行第二次离子注入，在第二类型阱中栅极两侧形成第二注入区，所述第一次注入的离子和第二次注入的离子类型相同；

移除所述第一掩膜层；

在所述第二类型阱上和第一类型阱的栅极上形成第二掩膜层，并对所述第一类型阱进行第三次离子注入，使得第一类型阱中的第一注入区转变为第三注入区，并在第一类型阱中栅极两侧形成第四注入区，所述第一次注入的离子和第三次注入的离子类型不同，所述第一类型阱的栅极上的第二掩膜层厚度小于所述第二类型阱的栅极上的第一掩膜层厚度，所述第三次离子注入的角度为与前端结构上表面的法向呈30°-60°夹角；

移除所述第二掩膜层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一类型阱为N阱，所述第二类型阱为P阱。

3.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述P阱的栅极上的第一掩膜层的厚度为所述N阱的栅极上的第二掩膜层厚度为

4.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二注入区的掺杂浓度和注入深度大于所述第一注入区的掺杂浓度和注入深度；所述第四注入区的掺杂浓度和注入深度大于所述第三注入区的掺杂浓度和注入深度。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一次离子注入为普注N型离子。

6.如权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二次离子注入为注入N型离子，所述第三次离子注入为注入P型离子。

7.如权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在对所述前端结构进行第一次离子注入，以分别在第一类型阱和第二类型阱中栅极两侧形成第一注入区之后；在所述第一类型阱和第二类型阱的栅极上形成第一掩膜层，并对所述第二类型阱进行第二次离子注入之前，还包括：

在所述栅极两侧形成栅极侧墙。

8.如权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，位于第一类型阱的栅极侧的栅极侧墙厚度小于位于第二类型阱的栅极侧的栅极侧墙厚度。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，位于第二类型阱的栅极侧的栅极侧墙厚度为90nm-110nm，位于第一类型阱的栅极侧的栅极侧墙厚度为80nm-90nm。

10.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述前端结构还包括栅氧化层，所述栅氧化层位于所述第一类型阱和第二类型阱上，所述栅极位于所述栅氧化层上。

11.如权利要求10所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为

12.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在提供前端结构之后，在对所述前端结构进行第一次离子注入之前，还包括：

对所述栅极进行快速热氧化处理。

13.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在移除所述第二掩膜层之后，还包括：

进行退火工艺。