[发明专利]随机存储器及其制备方法

摘要

本发明提供了一种随机存储器及其制备方法。该随机存储器包括设置于绝缘底层上的集成模块，集成模块包括顺序层叠并连接的第一导体层、三维CMOS单元层、存储单元层和第二导体层，三维CMOS单元层包括一个或多个三维CMOS单元，且三维CMOS单元层包括：栅极层，具有至少一个通孔；至少一个有源区，一一对应穿过通孔并分别与栅极层、存储单元层和第一导体层连接，且有源区包括源极区和漏极区，源极区和漏极区位于栅极层的两侧。相比于现有技术中源漏极位于栅极左右两侧的平面CMOS单元，对为了需要CMOS提供有效驱动电流供给存储单元的存储器来说，同样沟道宽度的器件缩小了CMOS单元的平面面积，提高了随机存储器的存储密度。

主权项

1.一种随机存储器，其特征在于，包括设置于绝缘底层上的集成模块，所述集成模块包括顺序层叠并连接的第一导体层(10)、三维CMOS单元层、存储单元层和第二导体层(40)，所述三维CMOS单元层包括一个或多个三维CMOS单元(20)，且所述三维CMOS单元层包括：栅极层(210)，具有至少一个通孔；至少一个有源区(220)，一一对应穿过所述通孔并分别与所述栅极层(210)、所述存储单元层和所述第一导体层(10)连接，且所述有源区(220)包括源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于所述栅极层(210)的两侧。