[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201710091541.3 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN107204274B | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 置田尚吾;针贝笃史;伊藤彰宏 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/78;H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对保持在保持片的基板进行等离子体处理时，提高产品的成品率。等离子体处理方法包括：载置工序，将保持了基板的保持片载置在设置于等离子体处理装置的载置台；以及固定工序，将保持片固定在所述载置台。还包括：判定工序，在固定工序之后，判定所述保持片与所述载置台的接触状态是否良好；以及等离子体蚀刻工序，在判定工序中判定为接触状态良好的情况下，在载置台上使基板的表面暴露于等离子体，从而对所述基板进行蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理方法，包括：载置工序，将保持了基板的保持片载置在设置于等离子体处理装置的载置台；固定工序，将所述保持片固定在所述载置台；判定工序，在所述固定工序之后，判定所述保持片与所述载置台的接触状态是否良好；以及等离子体蚀刻工序，在所述判定工序中判定为接触状态良好的情况下，在所述载置台上使所述基板的表面暴露于等离子体，从而对所述基板进行蚀刻。
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