[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置

说明书

一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对保持在保持片的基板进行等离子体处理时，提高产品的成品率。等离子体处理方法包括：载置工序，将保持了基板的保持片载置在设置于等离子体处理装置的载置台；以及固定工序，将保持片固定在所述载置台。还包括：判定工序，在固定工序之后，判定所述保持片与所述载置台的接触状态是否良好；以及等离子体蚀刻工序，在判定工序中判定为接触状态良好的情况下，在载置台上使基板的表面暴露于等离子体，从而对所述基板进行蚀刻。

技术领域

本公开涉及对保持在保持片的基板进行等离子体处理的方法以及装置。

背景技术

作为切割基板的方法，已知有对形成了掩模的基板实施等离子体蚀刻而将其分割为单个芯片的等离子体切割。专利文献1公开了如下内容，即，为了提高传送等时的基板的操作性，在将基板保持在具备框架和覆盖框架的开口部的保持片的运输载体的状态下，将其载置在等离子体处理装置具备的载置台，并进行等离子体处理。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2014-513868号公报

发明内容

保持片的厚度小，易挠曲。因此，保持了基板的运输载体有时以保持片产生了褶皱的状态载置到载置台。当在保持片残留有褶皱的状态下进行等离子体处理时，会在褶皱的部分产生异常放电，或者使褶皱的部分的温度上升，从而难以正常进行等离子体处理。

近年来，电子设备在小型化和薄型化，搭载在电子设备的IC芯片等的厚度减小。与此相伴地，用于形成成为切割的对象的IC芯片等的基板的厚度也减小，与保持片同样地，基板也变得易挠曲。在将这样的易挠曲的基板粘接到易挠曲的保持片而进行保持的情况下，如果在保持片产生褶皱，则在基板也容易产生褶皱。进而，在框架存在哪怕一点形变的情况下，保持片和基板将变得更容易产生褶皱。

通常，将运输载体载置在载置台，一边通过被称为静电吸盘的静电吸附机构进行接触一边进行等离子体处理。静电吸附机构对配置在载置台的内部的静电吸附(Electrostatic Chuck)用电极(以下，称为ESC电极)施加电压，并通过在ESC电极与保持片之间作用的库伦(Coulomb)力、约翰逊-拉贝克(Johnsen-Rahbek)力使载置台吸附保持片。此时，保持了基板的保持片有时会以产生了褶皱的状态直接载置在载置台。由于在保持片产生的褶皱，保持片以一部分从载置台上浮的状态压附于载置台。因此，隔着保持片的基板与载置台的接触变得不充分。

当在隔着保持片的基板与载置台的接触不充分的状态下进行等离子体处理时，对基板的蚀刻会不均匀，会产生加工形状的偏差、未处理部。进而，存在产生基板的局部性的温度上升或者产生异常放电的情况。由于该温度上升、异常放电，基板、保持片有可能会破损，进而ESC电极有可能会破损。其结果是，产品的成品率下降。

本公开涉及的发明的一个方面涉及等离子体处理方法，该方法包括以下的工序。即，包括：载置工序，将保持了基板的保持片载置在设置于等离子体处理装置的载置台；以及固定工序，将保持片固定在载置台。还包括：判定工序，在固定工序之后，判定保持片与载置台的接触状态是否良好；以及等离子体蚀刻工序，在判定工序中判定为接触状态良好的情况下，在载置台上使基板的表面暴露于等离子体，从而对基板进行蚀刻。

本公开涉及的发明的另一个方面涉及等离子体处理装置，其具备：处理室；载置台，设置在处理室，并载置保持了基板的保持片；固定机构，将保持片固定在载置台；高频电源部，使处理室内产生等离子体；以及判定部，判定保持片与所述载置台的接触状态是否良好。

发明效果

根据本公开涉及的发明，在确认了隔着保持片的基板与载置台的接触的状态之后执行等离子体处理，因此可提高产品的成品率。

附图说明