[发明专利]等离子体处理方法以及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，包括：

载置工序，将保持了基板的保持片载置在设置于等离子体处理装置的载置台；

固定工序，将所述保持片固定在所述载置台；

判定工序，在所述固定工序之后，判定所述保持片与所述载置台的接触状态是否良好；以及

等离子体蚀刻工序，在所述判定工序中判定为接触状态良好的情况下，在所述载置台上使所述基板的表面暴露于等离子体，从而对所述基板进行蚀刻，

所述等离子体处理装置具备判定用气孔，所述判定用气孔形成在所述载置台的表面，并与气体导入路径连接，

在所述判定工序中，从所述判定用气孔将气体导入到所述载置台与所述保持片之间，并基于所述气体导入路径中的所述气体的压力或所述压力的控制信息进行所述接触状态的判定。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置具备位移传感器，所述位移传感器测定载置在所述载置台的所述基板的表面的高度，

在所述判定工序中，通过所述位移传感器测定载置在所述载置台的所述基板的表面的高度，并基于测定的所述基板的所述表面的高度进行所述接触状态的判定。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理方法，所述等离子体处理装置具备温度传感器以及对所述载置台进行冷却的冷却部，

在所述判定工序中，通过所述温度传感器测定载置在所述载置台的所述基板的温度，并基于测定的所述基板的所述温度进行所述接触状态的判定。

4.一种等离子体处理装置，具备：

处理室；

载置台，其设置在所述处理室，并载置保持了基板的保持片；

固定机构，其将所述保持片固定在所述载置台；

高频电源部，其使所述处理室内产生等离子体；以及

判定部，其判定所述保持片与所述载置台的接触状态是否良好，

所述等离子体处理装置还具备：判定用气孔，其设置在所述载置台的表面，并与气体导入路径连接，

所述判定部基于从所述气体导入路径中的所述判定用气孔导入到所述载置台与所述保持片之间的气体的压力或所述压力的控制信息进行所述接触状态的判定。

5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，还具备：位移传感器，其测定载置在所述载置台的所述基板的表面的高度，

所述判定部基于由所述位移传感器测定的载置在所述载置台的所述基板的表面的高度进行所述接触状态的判定。

6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，还具备：

冷却部，其对所述载置台进行冷却；以及

温度传感器，

所述判定部基于由所述温度传感器测定的载置在所述载置台的所述基板的温度进行所述接触状态的判定。