[发明专利]多晶硅、FZ单晶硅以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201710088583.1 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107268079B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 宫尾秀一;祢津茂义 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁雯雯;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶硅、FZ单晶硅以及它们的制造方法。本发明提供一种适合用于稳定地制造单晶硅的多晶硅。以如下多晶硅作为原料制造FZ单晶硅时，FZ单晶化的工序中的晶体线消失得到显著地抑制，该多晶硅是在基于西门子法的合成结束后实施热处理、通过该热处理使以密勒指数面111和220作为主面的晶粒生长成而得的多晶硅，并且该多晶硅在上述热处理后的来自密勒指数面111和220的X射线衍射强度与上述热处理前的X射线衍射强度相比均为1.5倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 fz 单晶硅 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅，其是在基于西门子法的合成结束后实施热处理、通过该热处理使以密勒指数面<111>和<220>作为主面的晶粒生长而得的。
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