[发明专利]多晶硅、FZ单晶硅以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 201710088583.1 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN107268079B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 宫尾秀一;祢津茂义 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 鲁雯雯;金龙河 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 fz 单晶硅 以及 它们 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅，其是在基于西门子法的合成结束后以900～1350℃的温度范围实施5～6小时的热处理、通过该热处理使以密勒指数面111和220作为主面的晶粒生长而得的，所述热处理后的来自密勒指数面111和220的X射线衍射强度与所述热处理前的X射线衍射强度相比均为1.5倍以下。
2.如权利要求1所述的多晶硅，其中，通过所述热处理，所述晶粒的粒径扩大。
3.如权利要求1或2所述的多晶硅，其中，在所述热处理前后热扩散率发生了变化。
4.如权利要求2所述的多晶硅，其中，所述热处理后的平均结晶粒径为所述热处理前的平均结晶粒径的3倍以上。
5.如权利要求3所述的多晶硅，其中，所述热扩散率在生长方向的垂直面上在所述热处理后增加。
6.一种FZ单晶硅的制造方法，其使用权利要求1或2所述的多晶硅棒作为原料。
7.一种FZ单晶硅，其通过权利要求6所述的制造方法而得到。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社，未经信越化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710088583.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有镀层的钛铜箔
- 下一篇：聚酰亚胺纤维和聚酰亚胺纤维的制造方法
