[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710088403.X 申请日: 2017-02-20
公开(公告)号: CN106803546A 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 顾小兵;魏居富;蒋杰;张青松 申请(专利权)人: 厦门世纳芯科技有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京高沃律师事务所11569 代理人: 王加贵
地址: 361000 福建省厦门市海*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种量子点发光二极管,包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,还包括设置于所述阳极和空穴注入层的阳极修饰层;所述阳极修饰层包括含氟有机材料。本发明提供的量子点发光二极管,以含氟有机材料作为阳极修饰层,设置于阳极和空穴注入层之间,氟取代基以其极强的电负性发挥了强烈的吸电子作用,实现对空穴注入的提高;并且含氟有机材料的化学性质稳定,能够稳定提高量子点发光二极管的发光效率,延长使用寿命。
搜索关键词: 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
一种量子点发光二极管,包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,其特征在于,还包括设置于所述阳极和空穴注入层之间的阳极修饰层;所述阳极修饰层的材质包括含氟有机材料。
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