[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法在审
申请号: | 201710088403.X | 申请日: | 2017-02-20 |
公开(公告)号: | CN106803546A | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 顾小兵;魏居富;蒋杰;张青松 | 申请(专利权)人: | 厦门世纳芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/54 | 分类号: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人: | 王加贵 |
地址: | 361000 福建省厦门市海*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及量子点发光二极管技术领域,特别涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术
量子点是准零维的纳米材料,由少量的原子组成。量子点属于无机半导体材料,较有机材料具有更加稳定的光化学稳定性,并且可以通过调控量子点的尺寸实现对荧光波长、发射光谱的调控,具有优异的荧光量子产率。由于优异的特性,量子点受到广泛关注,被广泛用于显示技术领域。
量子点发光二极管(QLED)是一种以量子点为发光层,能产生和发出任意可见波长的光的量子点有机发光器件。量子点发光二极管具有高亮度、高纯度、低功耗、宽色域、可大面积溶液加工诸多优点。但是目前量子点发光二极管载流子注入不平衡,主要是空穴注入的速率远远小于电子注入的速率,造成发光效率不高,寿命短的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种含阳极修饰层的量子点发光二极管及其制备方法。本发明提供的发光二极管发光效率高并且稳定性好,延长使用寿命。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种量子点发光二极管,包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,其特征在于,还包括设置于所述阳极和空穴注入层的阳极修饰层;所述阳极修饰层包括含氟有机材料。
优选的,所述阳极修饰层包括含氟聚烯烃中的一种或多种;所述阳极修饰层的厚度为0.1~10nm。
优选的,所述阳极修饰层包括聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、聚氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物和聚三氟氯乙烯中的一种或多种。
优选的,所述阳极包括金属氧化物、金属单质和含碳材料中的一种或多种;所述阳极的厚度为100~250nm。
优选的,所述空穴注入层包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐;所述空穴注入层的厚度为10~100nm。
优选的,所述空穴传输层聚乙烯咔唑、三苯基二胺、三苯基二胺聚合物、聚[(N,N’-(4-正丁基苯基)-N,N’二苯基-1,4-苯二胺)-ALT-(9,9-二正辛基芴基-2,7-二基)]、4,4-二(9-咔唑)联苯、三氯硫代乙酸和N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种或多种;所述空穴传输层的厚度为10~100nm。
优选的,所述量子点发光层包括核壳量子点;所述量子点发光层的厚度为10~100nm。
优选的,所述电子传输层包括氧化锌和/或二氧化钛;所述电子传输层的厚度为10~500nm。
优选的,所述阴极包括铝、银、铜或钙中的一种或多种;所述阴极的厚度为100~200nm。
本发明还提供了上述技术方案所述的量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:在所述阳极上依次沉积阳极修饰层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极;所述阳极修饰层采用真空热蒸镀法沉积。
本发明提供的量子点发光二极管,以含氟有机材料作为阳极修饰层,设置于阳极和空穴注入层之间,氟取代基以其极强的电负性发挥了强烈的吸电子作用,实现对空穴注入的提高;并且含氟有机材料的化学性质稳定,能够稳定提高量子点发光二极管的发光效率,延长使用寿命;含氟有机材料作为阳极修饰层具有优异的绝缘性和较高的电离性能,进而降低阳极上过量空穴对激子的猝灭,提高空穴注入效率;同时采用含氟有机材料作为阳极修饰层,具有良好的成膜性,改善阳极层的表面形貌,有助于降低阳极粗糙度,使得阳极层均匀平整,减少粗糙界面对载流子传输的阻碍,显著降低空穴从阳极到空穴传输层的注入能障,提高空穴注入效率,降低驱动电压,进而提高量子点发光二极管的发光效率。另外,本发明以含氟有机材料作为阳极修饰层时,成膜性好,利于后续层的成膜,提高各层之间的连接性。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1为本发明实施例1制备得到的量子点发光二极管的示意图;其中,1-阳极,2-阳极修饰层,3-空穴注入层,4-空穴传输层,5-量子点发光层,6-电子传输层,7-阴极;
图2为本发明实施例1和对比例1制备得到的量子点发光二极管中空穴从阳极到空穴传输层的注入能障示意图。
具体实施方式
本发明提供了一种量子点发光二极管,包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极,还包括设置于所述阳极和空穴注入层的阳极修饰层;所述阳极修饰层包括含氟有机材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门世纳芯科技有限公司,未经厦门世纳芯科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710088403.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:有机发光显示器件
- 下一篇:顶发射型OLED显示器件的制作方法及结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择