[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，还包括设置于所述阳极和空穴注入层之间的阳极修饰层；所述阳极修饰层的材质包括含氟有机材料。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极修饰层包括含氟聚烯烃中的一种或多种；所述阳极修饰层的厚度为0.1～10nm。

3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极修饰层包括聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、聚氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物和聚三氟氯乙烯中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极包括金属氧化物、金属单质和含碳材料中的一种或多种；所述阳极的厚度为100～250nm。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐；所述空穴注入层的厚度为10～100nm。

6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层包括聚乙烯咔唑、三苯基二胺、三苯基二胺聚合物、聚[(N,N’-(4-正丁基苯基)-N,N’二苯基-1,4-苯二胺)-ALT-(9,9-二正辛基芴基-2，7-二基)]、4,4-二(9-咔唑)联苯、三氯硫代乙酸和N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种或多种；所述空穴传输层的厚度为10～100nm。

7.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层包括核壳量子点；所述量子点发光层的厚度为10～100nm。

8.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层包括氧化锌和/或二氧化钛；所述电子传输层的厚度为10～500nm。

9.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阴极包括铝、银、铜和钙中的一种或多种；所述阴极的厚度为100～200nm。

10.权利要求1～9任一项所述的量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：在所述阳极上依次沉积阳极修饰层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述阳极修饰层采用真空热蒸镀法沉积。