[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201710073772.1 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN108417621A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 袁雷兵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及其形成方法，其中，晶体管包括：衬底，所述衬底包括：器件区和集电区，所述器件区包括：控制区和关断区；位于所述控制区和关断区衬底中的漂移区，所述漂移区与所述集电区接触；位于所述控制区和关断区衬底中的阱区；位于所述控制区的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述漂移区和阱区接触；位于所述控制区衬底中的发射区，所述发射区位于所述第一栅极结构一侧和两侧，所述漂移区与所述发射区以所述阱区隔离，所述发射区与所述关断区的阱区电连接；位于所述集电区衬底中的集电区。所述关断区阱区会从所述漂移区中抽取空穴，从而增加所形成绝缘栅双极型晶体管的关断速度，降低关断能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 关断 衬底 控制区 漂移区 阱区 发射区 集电区 绝缘栅双极型晶体管 栅极结构 器件区 空穴 电连接 晶体管 抽取 能耗 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括：器件区和集电区，所述器件区和集电区在垂直于所述衬底表面的方向上叠层设置，所述器件区衬底包括：控制区和关断区，所述控制区和关断区在平行于所述衬底表面的方向上设置；位于所述控制区和关断区衬底中的漂移区，所述漂移区与所述集电区接触；位于所述控制区和关断区衬底中的阱区，所述阱区与漂移区接触；位于所述控制区内的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述漂移区和阱区接触；位于所述控制区阱区中的发射区，所述发射区位于所述第一栅极结构一侧或两侧的衬底中，所述漂移区与所述发射区以所述阱区隔离，所述发射区与所述关断区的阱区电连接。
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