[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括：器件区和集电区，所述器件区和集电区在垂直于所述衬底表面的方向上叠层设置，所述器件区衬底包括：控制区和关断区，所述控制区和关断区在平行于所述衬底表面的方向上设置；

位于所述控制区和关断区衬底中的漂移区，所述漂移区与所述集电区接触；

位于所述控制区和关断区衬底中的阱区，所述阱区与漂移区接触；

位于所述控制区内的第一栅极结构，所述第一栅极结构与所述漂移区和阱区接触；

位于所述控制区阱区中的发射区，所述发射区位于所述第一栅极结构一侧或两侧的衬底中，所述漂移区与所述发射区以所述阱区隔离，所述发射区与所述关断区的阱区电连接。

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述发射区与漂移区中具有第一掺杂离子，所述第一掺杂离子为N型离子；

所述阱区和集电区中具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子为P型离子。

3.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述漂移区和所述阱区沿垂直于所述衬底表面的方向重叠，所述漂移区位于所述阱区与所述集电区之间；所述第一栅极结构贯穿所述控制区的阱区，且位于所述控制区的漂移区中。

4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一栅极结构位于所述漂移区表面；所述阱区位于所述第一栅极结构两侧的漂移区中，所述发射区位于所述第一栅极结构两侧的阱区中。

5.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括：连接所述发射区与所述关断区的阱区的金属结构。

6.如权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括：位于所述控制区第一栅极结构上的介质层，所述介质层暴露出所述关断区的阱区以及所述发射区，所述金属结构位于所述关断区的阱区表面、所述发射区表面以及所述控制区的介质层上。

7.如权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述金属结构的材料为铜或铝。

8.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述衬底还包括：连接区，所述连接区与所述器件区沿平行于所述第一栅极结构延伸方向设置，所述第一栅极结构延伸至所述连接区。

9.如权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括：连接所述连接区第一栅极结构的栅极连接结构。

10.如权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述栅极连接结构包括：连接所述连接区第一栅极结构的栅极线；连接所述栅极线的栅极金属结构。

11.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，还包括：位于所述关断区的第二栅极结构，所述第二栅极结构与所述发射区电连接。

12.如权利要求11所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第二栅极结构位于所述关断区的漂移区表面；所述关断区的阱区位于所述第二栅极结构两侧的漂移区中；

或者，所述漂移区和所述阱区沿垂直于所述衬底表面的方向层叠设置，所述漂移区位于所述阱区与所述集电区之间，所述第二栅极结构贯穿所述关断区的阱区，且位于所述关断区的漂移区中。

13.如权利要求11所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第二栅极结构包括：栅极；位于所述栅极和阱区之间，以及栅极和漂移区之间的栅介质层。