[发明专利]可变电阻存储器件及半导体器件有效
申请号: | 201710073127.X | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN107123661B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | 沈揆理;姜大焕;高宽协 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H10B63/00 | 分类号: | H10B63/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种可变电阻存储器件包括第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元在第一导电线和第二导电线之间,并且在第一导电线和第二导电线交叠的区域处。第二存储单元在第二导电线和第三导电线之间,并且在第二导电线和第三导电线交叠的区域处。每个第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案。每个第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案。第二存储单元中的至少一个从最靠近的一个第一存储单元偏移。 | ||
搜索关键词: | 可变 电阻 存储 器件 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种可变电阻存储器件,包括:第一导电线,在基板上布置在第一方向上,每条所述第一导电线在交叉所述第一方向的第二方向上延伸,并且所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板的上表面;第二导电线,在所述第一导电线上布置在所述第二方向上,每条所述第二导电线在所述第一方向上延伸;第三导电线,在所述第二导电线上布置在所述第一方向上,每条所述第三导电线在所述第二方向上延伸;在所述第一导电线和所述第二导电线之间的第一存储单元,所述第一存储单元在所述第一导电线和所述第二导电线在第三方向上交叠的各个区域处,所述第三方向垂直于所述基板的所述上表面,并且每个所述第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案;以及在所述第二导电线和所述第三导电线之间的第二存储单元,所述第二存储单元在所述第二导电线和所述第三导电线在所述第三方向上交叠的各个区域处,并且每个所述第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案,其中在平面图中,所述第二存储单元中的至少一个从所述第一存储单元中在所述第一方向上或在所述第二方向上最靠近的一个第一存储单元偏移。
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