[发明专利]可变电阻存储器件及半导体器件

说明书

一种可变电阻存储器件包括第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元在第一导电线和第二导电线之间，并且在第一导电线和第二导电线交叠的区域处。第二存储单元在第二导电线和第三导电线之间，并且在第二导电线和第三导电线交叠的区域处。每个第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案。每个第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案。第二存储单元中的至少一个从最靠近的一个第一存储单元偏移。

技术领域

一个或多个示例实施方式涉及可变电阻存储器件和/或其制造方法以及半导体器件。例如，至少一些示例实施方式涉及包括多个存储单元的可变电阻存储器件和/或其制造方法。

背景技术

近来，已经开发了具有可变电阻特性的存储器件。这样的存储器件包括例如相变随机存取存储器(PRAM)器件、电阻式随机存取存储器(ReRAM)器件以及磁性随机存取存储器(MRAM)器件。

在上述存储器件中，包括选择元件和可变电阻元件的存储单元可以形成在下电极和上电极之间或者在下导线和上导线之间。

发明内容

一个或多个示例实施方式提供具有改善的和/或提高的操作可靠性的可变电阻存储器件。

一个或多个示例实施方式提供具有改善的和/或提高的操作可靠性的可变电阻存储器件的制造方法。

至少一个示例实施方式提供一种可变电阻存储器件，包括：第一导电线，在基板上布置在第一方向上，每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且第一和第二方向平行于基板的上表面；第二导电线，在第一导电线上布置在第二方向上，每条第二导电线在第一方向上延伸；第三导电线，在第二导电线上布置在第一方向上，每条第三导电线在第二方向上延伸；在第一导电线和第二导电线之间的第一存储单元，第一存储单元在第一导电线和第二导电线在第三方向上交叠的各个区域处，第三方向基本上垂直于基板的上表面，并且每个第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案；以及在第二导电线和第三导电线之间的第二存储单元，第二存储单元在第二导电线和第三导电线在第三方向上交叠的各个区域处，并且每个第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案。在平面图中，第二存储单元中的至少一个从第一存储单元中在第一方向上或在第二方向上最靠近的一个第一存储单元偏移。

至少一个其他示例实施方式提供一种可变电阻存储器件，包括：第一导电线，在基板上布置在第一方向上，每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且第一方向和第二方向平行于基板的上表面；第二导电线，在第一导电线上布置在第二方向上，每条第二导电线在第一方向上延伸；第三导电线，在第二导电线上布置在第一方向上，每条第三导电线在第二方向上延伸；在第一导电线和第二导电线之间的第一存储单元，第一存储单元在第一导电线和第二导电线在第三方向上交叠的各个区域处，第三方向基本上垂直于基板的上表面，并且每个第一存储单元包括第一可变电阻图案；以及在第二导电线和第三导电线之间的第二存储单元，第二存储单元在第二导电线和第三导电线在第三方向上交叠的各个区域处，并且每个第二存储单元包括第二可变电阻图案。第二存储单元在第三方向上不交叠第一存储单元。

至少一个其他示例实施方式提供一种可变电阻存储器件，包括：第一导电线，在基板上布置在第一方向上，每条第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸，并且第一方向和第二方向平行于基板的上表面；第二导电线，在第一导电线上布置在第二方向上，每条第二导电线在第一方向上延伸；第三导电线，在第二导电线上布置在第一方向上，每条第三导电线在第二方向上延伸；在第一导电线和第二导电线之间的第一存储单元，第一存储单元在第一导电线和第二导电线在第三方向上交叠的各个区域处，第三方向基本上垂直于基板的上表面，并且每个第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案；以及在第二导电线和第三导电线之间的第二存储单元，第二存储单元在第二导电线和第三导电线在第三方向上交叠的各个区域处，并且每个第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案。第二存储单元中的至少一个的下表面的一部分在第三方向上交叠第一存储单元中的至少一个的上表面的一部分。