[发明专利]可变电阻存储器件及半导体器件

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件，包括：

第一导电线，在基板上布置在第一方向上，每条所述第一导电线在交叉所述第一方向的第二方向上延伸，并且所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板的上表面；

第二导电线，在所述第一导电线上布置在所述第二方向上，每条所述第二导电线在所述第一方向上延伸；

第三导电线，在所述第二导电线上布置在所述第一方向上，每条所述第三导电线在所述第二方向上延伸；

在所述第一导电线和所述第二导电线之间的第一存储单元，所述第一存储单元在所述第一导电线和所述第二导电线在第三方向上交叠的各个区域处，所述第三方向垂直于所述基板的所述上表面，并且每个所述第一存储单元包括第一可变电阻图案和第一选择图案；以及

在所述第二导电线和所述第三导电线之间的第二存储单元，所述第二存储单元在所述第二导电线和所述第三导电线在所述第三方向上交叠的各个区域处，并且每个所述第二存储单元包括第二可变电阻图案和第二选择图案，其中

在平面图中，所述第二存储单元中的至少一个从所述第一存储单元中在所述第一方向上或在所述第二方向上最靠近的一个第一存储单元偏移，

其中所述第二存储单元中的所述至少一个的下表面在所述第三方向上部分地交叠所述最靠近的一个第一存储单元的上表面。

2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中

在所述第一方向上布置的多个所述第一存储单元限定第一存储单元行；

在所述第一方向上布置的多个所述第二存储单元限定第二存储单元行；并且

在所述平面图中，所述第一存储单元行的所述多个第一存储单元在所述第二存储单元行的所述多个第二存储单元之间。

3.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中

每个所述第一存储单元还包括在所述第一可变电阻图案和所述第一选择图案之间的第一中间电极；并且

每个所述第二存储单元还包括在所述第二可变电阻图案和所述第二选择图案之间的第二中间电极。

4.如权利要求3所述的可变电阻存储器件，其中

在所述平面图中，所述第一可变电阻图案具有比所述第一中间电极的面积小的面积；并且

在所述平面图中，所述第二可变电阻图案具有比所述第二中间电极的面积小的面积。

5.如权利要求4所述的可变电阻存储器件，还包括：

间隔物，在所述第一可变电阻图案和所述第二可变电阻图案的每个的侧壁上。

6.如权利要求3所述的可变电阻存储器件，其中

在所述平面图中，所述第一选择图案具有比所述第一中间电极的面积小的面积；并且

在所述平面图中，所述第二选择图案具有比所述第二中间电极的面积小的面积。

7.如权利要求3所述的可变电阻存储器件，其中

所述第一可变电阻图案在所述第一选择图案上；并且

所述第二可变电阻图案在所述第二选择图案上。

8.如权利要求7所述的可变电阻存储器件，其中

每个所述第一存储单元还包括第一上电极和第一下电极，所述第一上电极在所述第一可变电阻图案与对应的一条所述第二导电线之间，所述第一下电极在所述第一选择图案与对应的一条所述第一导电线之间；并且

每个所述第二存储单元还包括第二上电极和第二下电极，所述第二上电极在所述第二可变电阻图案与对应的一条所述第三导电线之间，所述第二下电极在所述第二选择图案与对应的一条所述第二导电线之间。

9.如权利要求3所述的可变电阻存储器件，其中

所述第一选择图案在所述第一可变电阻图案上；并且

所述第二选择图案在所述第二可变电阻图案上。