[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
申请号: | 201710068494.0 | 申请日: | 2017-02-08 |
公开(公告)号: | CN108615710A | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 韩意书;李泰勇;新及补 | 申请(专利权)人: | 艾马克科技公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 林柳岑 |
地址: | 美国亚利桑那州85*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括:衬底,其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面;金属平面,其在所述顶部衬底表面上,所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径;半导体裸片,其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内,所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面,其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面;及包封材料,其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分,其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。 | ||
搜索关键词: | 衬底表面 金属平面 裸片表面 侧向 半导体装置 半导体裸片 延伸 包封材料 侧表面 裸片 耦合到 包封 衬底 制造 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其包括:衬底,其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面;金属平面,其在所述顶部衬底表面上,所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径;半导体裸片,其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内,所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面,其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面;及包封材料,其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分,其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。
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