[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；

金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；

半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及

包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径到所述顶部衬底表面。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述包封材料完全填充所述金属平面的所述第二孔径。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述包封材料延伸到所述金属平面的所述第一孔径中。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面的任何部分都不在所述半导体裸片正下方。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面的任何部分都不低于所述半导体裸片。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面包括至少高达所述顶部裸片表面的顶部金属平面表面。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括导电立柱，所述导电立柱从所述金属平面朝上延伸且包括至少高达所述顶部裸片表面的顶部立柱表面。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面的侧表面从所述包封材料暴露。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其包括耦合到所述金属平面的所述侧表面的导电屏蔽物。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面且以所述包封材料填充的多个额外孔径。

12.一种半导体装置，其包括：

衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；

金属层，其在所述顶部衬底表面上，所述金属层包括第一区段，其包括完全延伸通过所述第一区段的第一孔径及第二孔径；及第二区段，其与所述第一区段电隔离且包括完全延伸通过所述第二区段的第三孔径；

半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述第一区段的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及

包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料填充所述第一区段的所述第二孔径及所述第二区段的所述第三孔径。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述金属层覆盖所述衬底的至少一半。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述金属层的所述第一区段及所述第二区段侧向地环绕所述半导体裸片。

15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一区段电耦合到第一电力供应信号，且所述第二区段电耦合到不同于所述第一电力供应信号的第二电力供应信号。