[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。

背景技术

目前半导体装置及半导体装置的制造方法是不适当的，例如导致过高的噪声敏感性、缺乏适当支撑的半导体封装、过多成本、降低的可靠性或过大的封装大小。通过比较常规及传统方法与如在本申请案的其余部分中参考图式阐述的本发明，所属领域的技术人员将显而易见此类方法的另外限制及缺点。

发明内容

本发明的各种方面提供一种半导体装置及一种制造半导体装置的方法。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供一种半导体装置，其包括耦合到衬底且由穿孔金属平面环绕的半导体裸片，及一种制造所述半导体装置的方法。

根据本发明的第一方面为一种半导体装置包括：衬底，其具有顶部衬底表面、底部衬底表面及在所述顶部衬底表面与所述底部衬底表面之间延伸的侧向衬底表面；金属平面，其在所述顶部衬底表面上，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面的第一孔径及第二孔径；半导体裸片，其在所述顶部衬底表面上且定位在所述金属平面的所述第一孔径内，所述半导体裸片具有顶部裸片表面、底部裸片表面及在所述顶部裸片表面与所述底部裸片表面之间延伸的侧向裸片侧表面，其中所述底部裸片表面耦合到所述顶部衬底表面；及包封材料，其包封所述侧向裸片侧表面的至少一部分及所述顶部衬底表面的至少一部分，其中所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径。

前述第一方面中，所述包封材料延伸通过所述金属平面的所述第二孔径到所述顶部衬底表面。

前述第一方面中，所述包封材料完全填充所述金属平面的所述第二孔径。

前述第一方面中，所述包封材料延伸到所述金属平面的所述第一孔径中。

前述第一方面中，所述金属平面的任何部分都不在所述半导体裸片正下方。

前述第一方面中，所述金属平面的任何部分都不低于所述半导体裸片。

前述第一方面中，所述金属平面包括至少高达所述顶部裸片表面的顶部金属平面表面。

前述第一方面中，所述半导体装置包括导电立柱，所述导电立柱从所述金属平面朝上延伸且包括至少高达所述顶部裸片表面的顶部立柱表面。

前述第一方面中，所述金属平面的侧表面从所述包封材料暴露。

前述第一方面中，所述半导体装置包括耦合到所述金属平面的所述侧表面的导电屏蔽物。

前述第一方面中，所述金属平面包括完全延伸通过所述金属平面且以所述包封材料填充的多个额外孔径。