[发明专利]一种选择性刻蚀的LDMOS器件的制造方法

摘要

本发明提出了一种制造位于半导体衬底上的阱区内的LDMOS器件的方法，包括：通过阱区之上的多晶硅层窗口，在阱区内形成体区和源极层，其中体区具有比源极层更深的结深；在多晶硅层窗口内侧的侧壁处形成间隔；以及通过间隔所形成的窗口，对源极层进行刻蚀至源极层被穿通，其中源极层中位于间隔正下方的区域在源极层被刻蚀的过程中受到保护，并被定义成LDMOS器件的源极区。源极区宽度由间隔的厚度决定。本发明采用间隔和选择性刻蚀形成较窄的N+/P+/N+源极/体区，从而既减小了源极区，又有效降低了制造LDMOS的成本。

主权项

1.一种制造LDMOS器件的工艺流程，其中该LDMOS器件位于半导体衬底中的具有第一掺杂类型的阱区，包括：在阱区上形成薄栅氧层；在薄栅氧层上形成多晶硅层；在多晶硅层上形成阻隔层，该阻隔层的刻蚀速度比薄栅氧层的刻蚀速度快；通过在阻隔层之上的第一掩膜层的窗口，对阻隔层和多晶硅层进行刻蚀；通过第一掩膜层的窗口，向阱区注入具有第二掺杂类型的杂质，形成体区；通过第一掩膜层的窗口，向体区注入具有第一掺杂类型的杂质，形成源极层；形成间隔，该间隔包裹刻蚀后所形成的多晶硅层窗口内侧的侧壁；通过间隔所形成的窗口，对源极层进行刻蚀至源极层被穿通，形成源极区；通过间隔所形成的窗口，向体区注入具有第二掺杂类型的杂质，形成体接触区；通过刻蚀移除间隔和阻隔层；通过第二掩膜层的窗口，对多晶硅层进行刻蚀，形成栅极；以及通过第三掩膜层的窗口，向阱区注入具有第一掺杂类型的杂质，形成漏极接触区。