[发明专利]一种选择性刻蚀的LDMOS器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造LDMOS器件的工艺流程，其中该LDMOS器件位于半导体衬底中的具有第一掺杂类型的阱区，包括：

在阱区上形成薄栅氧层；

在薄栅氧层上形成多晶硅层；

在多晶硅层上形成阻隔层，该阻隔层的刻蚀速度比薄栅氧层的刻蚀速度快；

通过在阻隔层之上的第一掩膜层的窗口，对阻隔层和多晶硅层进行刻蚀；

通过第一掩膜层的窗口，向阱区注入具有第二掺杂类型的杂质，形成体区；

通过第一掩膜层的窗口，向体区注入具有第一掺杂类型的杂质，形成源极层；

形成间隔，该间隔包裹刻蚀后所形成的多晶硅层窗口内侧的侧壁；

通过间隔所形成的窗口，对源极层进行刻蚀至源极层被穿通，形成源极区；

通过间隔所形成的窗口，向体区注入具有第二掺杂类型的杂质，形成体接触区；

通过刻蚀移除间隔和阻隔层；

通过第二掩膜层的窗口，对多晶硅层进行刻蚀，形成栅极；以及

通过第三掩膜层的窗口，向阱区注入具有第一掺杂类型的杂质，形成漏极接触区。

2.如权利要求1所述的制造LDMOS器件的工艺流程，其中间隔的材料和阻隔层的材料具有相同的刻蚀速度。

3.如权利要求1所述的制造LDMOS器件的工艺流程，其中间隔和阻隔层的材料为氮化硅。

4.如权利要求1所述的制造LDMOS器件的工艺流程，还包括在形成间隔之前，对多晶硅层窗口内侧的侧壁进行氧化。

5.如权利要求1所述的制造LDMOS器件的工艺流程，其中每个间隔的厚度范围为0.1微米到0.15微米。

6.如权利要求1所述的制造LDMOS器件的工艺流程，其中第一掩膜层的窗口宽度为0.3微米到0.5微米。

7.一种制造LDMOS器件的工艺流程，包括：

在半导体衬底内形成阱区；

在阱区上形成薄栅氧层；

在薄栅氧层上形成多晶硅层；

在多晶硅层上按顺序依次形成栅极密封层、氮化硅层和第一掩膜层，其中第一掩膜层包括至少一个通向氮化硅层表面的窗口；

通过第一掩膜层的窗口，对氮化硅层、栅极密封层和多晶硅层进行刻蚀，暴露出阱区中对应于体区的窗口；

通过体区窗口，向阱区注入P型杂质，在阱区内形成体区；

通过体区窗口，向体区注入N型杂质，在体区内形成源极层，随后移除第一掩膜层；

对多晶硅层窗口内侧的侧壁进行氧化；

在多晶硅层窗口内侧被氧化的侧壁处形成间隔；

通过间隔所形成的窗口，对源极层进行刻蚀至源极层被穿通，形成位于间隔正下方的源极区；

向体区中位于源极区之间的被刻蚀的区域注入P型杂质，形成体接触区；

通过刻蚀移除氮化硅层和间隔；

在栅极密封层上形成第二掩膜层，其中第二掩膜层具有位置预定的窗口；

通过第二掩膜层的窗口，对栅极密封层和多晶硅层进行刻蚀，形成栅极，随后移除第二掩膜层；

在栅极和薄栅氧层上形成第三掩膜层，该第三掩膜层包含至少一个对应于漏极接触区的窗口；以及

通过第三掩膜层的窗口，向阱区注入N型杂质，形成漏极接触区，随后移除第三掩膜层。