[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710061548.0 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107045974B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 尹灿植;李基硕;金桐耳吾 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括在包含第一区和第二区的衬底上形成第一模型图案的特征，以及从第一区到第二区形成覆盖第一模型图案的第一绝缘层。该方法还包括在第二区中的第一绝缘层上形成光致抗蚀剂图案，从第一区到第二区形成覆盖第一区中的第一绝缘层和第二区中的光致抗蚀剂图案的第二绝缘层，蚀刻第二绝缘层，去除光致抗蚀剂图案，以及形成在第一区中具有第一宽度的第一双重图案化技术图案和在第二区中具有第二宽度的第二双重图案化技术图案，其中第二宽度不同于所述第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包含：在包括第一区和第二区的衬底上形成第一模型图案的特征；从所述第一区到所述第二区形成覆盖所述第一模型图案的第一绝缘层；在所述第二区中的所述第一绝缘层上形成光致抗蚀剂图案；从所述第一区到所述第二区形成覆盖所述第一区中的所述第一绝缘层和覆盖所述第二区中的所述光致抗蚀剂图案的第二绝缘层；蚀刻所述第二绝缘层；去除所述光致抗蚀剂图案；以及形成在所述第一区中的具有第一宽度的第一双重图案化技术(DPT)图案和在所述第二区中的具有第二宽度的第二双重图案化技术图案，其中所述第二宽度与所述第一宽度不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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