[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

一种制造半导体器件的方法包括在包含第一区和第二区的衬底上形成第一模型图案的特征，以及从第一区到第二区形成覆盖第一模型图案的第一绝缘层。该方法还包括在第二区中的第一绝缘层上形成光致抗蚀剂图案，从第一区到第二区形成覆盖第一区中的第一绝缘层和第二区中的光致抗蚀剂图案的第二绝缘层，蚀刻第二绝缘层，去除光致抗蚀剂图案，以及形成在第一区中具有第一宽度的第一双重图案化技术图案和在第二区中具有第二宽度的第二双重图案化技术图案，其中第二宽度不同于所述第一宽度。

技术领域

在此描述的一种或更多种实施方式涉及一种制造半导体器件的方法。

背景技术

生产高度集成的半导体器件一直是设计者的目标。为了推进该目标，半导体器件的图案已经被制作地越来越精细。例如，已经进行了许多尝试来克服用于形成实现半导体器件的图案的光刻工艺的分辨率极限。特别是，双重图案化技术已经允许有超越光刻工艺的分辨率极限的更精细的图案。然而，缺点仍然存在。

发明内容

根据一种或更多种实施方式，一种制造半导体器件的方法包括在包含第一区和第二区的衬底上形成第一模型图案的特征；从第一区到第二区形成覆盖第一模型图案的第一绝缘层；在第二区中的第一绝缘层上形成光致抗蚀剂图案；从第一区到第二区形成覆盖第一区中的第一绝缘层和覆盖第二区中的光致抗蚀剂图案的第二绝缘层；蚀刻第二绝缘层；去除光致抗蚀剂图案；以及在第一区中形成具有第一宽度的第一双重图案化技术(DPT)图案和在第二区中形成具有第二宽度的第二DPT图案，其中第二宽度不同于第一宽度。

根据一种或更多种实施方式，一种制造半导体器件的方法包括在包含第一区和第二区的衬底上形成模型图案的特征；从第一区到第二区形成覆盖模型图案的第一绝缘层；在第二区中的第一绝缘层上形成光致抗蚀剂图案；从第一区到第二区形成覆盖第一区中的第一绝缘层和覆盖第二区中的光致抗蚀剂图案的第二绝缘层；蚀刻第二绝缘层；去除光致抗蚀剂图案；以及在第一区中形成具有第一间距的第一沟槽和在第二区中形成具有第二间距的第二沟槽，其中第二间距不同于第一间距。

根据一种或更多种实施方式，一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成模型图案的特征；遍及衬底上形成覆盖模型图案的第一绝缘层；在衬底的第一区中形成第一光致抗蚀剂图案；遍及衬底上形成第二绝缘层；蚀刻第二绝缘层和第一光致抗蚀剂图案；在衬底的第二区中形成第二光致抗蚀剂图案；遍及衬底上形成第三绝缘层；蚀刻第三绝缘层和第二光致抗蚀剂图案；在第一区中形成具有第一宽度的第一双重图案化技术(DPT)图案和在第二区中形成具有第二宽度的第二DPT图案；以及在衬底的另一区中形成具有第三宽度的第三DPT图案。

根据一种或更多种实施方式，一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成模型图案的特征；形成覆盖模型图案的第一绝缘层；在衬底的第一区中形成第一光致抗蚀剂图案；遍及衬底上形成第二绝缘层；蚀刻第二绝缘层和第一光致抗蚀剂图案；在衬底的第二区中形成第二光致抗蚀剂图案；遍及衬底上形成第三绝缘层；蚀刻第三绝缘层和第二光致抗蚀剂图案；在第一区中形成具有第一间距的第一沟槽和在第二区中形成具有第二间距的第二沟槽；以及在衬底的另一区中形成具有第三间距的第三沟槽。

根据一种或更多种实施方式，一种制造半导体器件的方法包括在第一区中形成多个第一间隔物；以及在与第一区相邻的第二区中形成多个第二间隔物，其中每个第一间隔物都包括第一绝缘层的一部分和第二绝缘层的一部分并且每个第二间隔物都包括第一绝缘层的一部分而不包括第二绝缘层的一部分并且其中每个第一间隔物宽于每个第二间隔物。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式将使特征对本领域技术人员变得清楚，其中：

图1至图12示出制造半导体器件的方法的实施方式；

图13至图15示出制造半导体器件的方法的另一实施方式；

图16至图26示出制造半导体器件的方法的另一实施方式；以及

图27至图29示出半导体系统的不同的实施方式。