[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包含：

在包括第一区和第二区的衬底上形成第一模型图案的特征；

从所述第一区到所述第二区形成覆盖所述第一模型图案的第一绝缘层；

在所述第二区中的所述第一绝缘层上形成光致抗蚀剂图案；

从所述第一区到所述第二区形成覆盖所述第一区中的所述第一绝缘层和覆盖所述第二区中的所述光致抗蚀剂图案的第二绝缘层；

蚀刻所述第二绝缘层；

去除所述光致抗蚀剂图案；以及

形成在所述第一区中的具有第一宽度的第一双重图案化技术(DPT)图案和在所述第二区中的具有第二宽度的第二双重图案化技术图案，其中所述第二宽度与所述第一宽度不同。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一双重图案化技术图案的所述第一宽度大于所述第二双重图案化技术图案的所述第二宽度。

3.如权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第二绝缘层包括只去除与所述光致抗蚀剂图案的侧面相邻的所述第二绝缘层的一部分，并且其中所述第一双重图案化技术图案形成在其中的区域与所述第二双重图案化技术图案形成在其中的区域通过在所述光致抗蚀剂图案被去除后留下的所述第二绝缘层的残余部分被分隔开。

4.如权利要求1所述的方法，其中在所述光致抗蚀剂图案被去除后：

所述第一区包括多个第一间隔物，每个所述第一间隔物都包括所述第一绝缘层的一部分和所述第二绝缘层的一部分，并且

所述第二区包括多个第二间隔物，每个所述第二间隔物都只包括所述第一绝缘层的一部分。

5.如权利要求4所述的方法，其中：

所述第一双重图案化技术图案具有与所述第一间隔物的宽度相等的宽度，并且

所述第二双重图案化技术图案具有与所述第二间隔物的宽度相等的宽度。

6.如权利要求4所述的方法，还包含：

在所述第一间隔物之间和在所述第二间隔物之间形成第二模型图案。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第一双重图案化技术图案包括：

具有与所述第一模型图案的宽度相等的宽度的特征，以及

具有与所述第二模型图案的宽度相等的宽度的特征。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第二双重图案化技术图案包括：

具有与所述第一模型图案的宽度相等的宽度的特征，以及

具有与所述第二模型图案的宽度相等的宽度的特征。

9.如权利要求6所述的方法，其中：

所述第一双重图案化技术图案的特征之间的间距等于所述第一间隔物的宽度，并且

所述第二双重图案化技术图案的特征之间的间距等于所述第二间隔物的宽度。

10.如权利要求1所述的方法，其中：

所述衬底包括要被蚀刻的层，并且

所述方法包括：

将所述第一双重图案化技术图案用作蚀刻掩模来蚀刻在所述第一区中的所述要被蚀刻的层；以及

将所述第二双重图案化技术图案用作蚀刻掩模来蚀刻在所述第二区中的所述要被蚀刻的层。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述要被蚀刻的层包括导电层、绝缘层或其组合。