[发明专利]具有金属塞的IC结构的制造有效
| 申请号： | 201710060789.3 | 申请日： | 2017-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN107017200B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | J·纳格;梁世钧;D·A·F·卢皮;荻野淳;A·H·西蒙;M·P·胡齐克 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有金属塞的IC结构的制造，其态样包括其中具有金属塞的集成电路(IC)结构及其形成方法。依据本发明的实施例的一种IC制造方法可包括：提供包括过孔的结构，该过孔在其中包括块体半导体材料，其中，该过孔还包括自该过孔的顶部表面延伸至该过孔的内部表面的腔体，以及其中，该块体半导体材料的一部分定义该腔体的至少一个侧壁；在该过孔上形成第一金属层级，其中，该第一金属层级包括位于该过孔的该腔体上方的接触开口；在该腔体内形成至该过孔的该表面的金属塞，以使该金属塞共形接触该腔体的侧壁以及该过孔的该内部表面，其中，该金属塞位于该过孔的外部侧壁的横向远侧；以及在该第一金属层级的该接触开口内形成接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 ic 结构 制造 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路(IC)结构的方法，该方法包括：提供包括过孔的结构，该过孔在其中包括块体半导体材料，其中，该过孔还包括自该过孔的顶部表面延伸至该过孔的内部表面的腔体，以及其中，该块体半导体材料的一部分定义该腔体的至少一个侧壁；在该过孔上形成第一金属层级，其中，该第一金属层级包括位于该过孔的该腔体上方的接触开口；在该腔体内形成至该过孔的该表面的金属塞，以使该金属塞共形接触该腔体的侧壁以及该过孔的该内部表面，其中，该金属塞位于该过孔的外部侧壁的横向远侧；以及在该第一金属层级的该接触开口内形成接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
