[发明专利]具有金属塞的IC结构的制造

权利要求书

1.一种形成集成电路(IC)结构的方法，该方法包括：

提供包括过孔的结构，该过孔在其中包括块体半导体材料，其中，该过孔还包括自该过孔的顶部表面延伸至该过孔的内部的腔体，以及其中，该块体半导体材料的一部分定义该腔体的至少一个侧壁；

在该过孔上形成第一金属层级，其中，该第一金属层级包括位于该过孔的该腔体上方的接触开口；

在该腔体内形成至该过孔的该顶部表面的金属塞，以使该金属塞共形接触该腔体的侧壁以及该过孔的该内部，其中，该金属塞位于该过孔的外部侧壁的横向远侧；以及

在该第一金属层级的该接触开口内形成导电金属。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该导电金属的外表面包括难熔金属衬里，以及其中，该难熔金属衬里将该导电金属与该金属塞隔开。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该导电金属与该第一金属层级的金属线电性耦接。

4.如权利要求2所述的方法，其中，该难熔金属衬里包括钽(Ta)及氮化钽(TaN)的其中一种。

5.如权利要求1所述的方法，其中，形成该金属塞包括在该过孔上及该腔体内选择性沉积钨(W)、钴(Co)、钌(Ru)及铝(Al)的其中一种。

6.如权利要求1所述的方法，在所述形成该金属塞之前，还包括移除该第一金属层级的至少一部分，以形成该接触开口。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该过孔位于局部互连(LI)层级的绝缘体内。

8.一种形成集成电路(IC)结构的方法，该方法包括：

提供包括过孔的结构，该过孔在其中包括块体半导体材料，其中，该过孔还包括自该过孔的顶部表面延伸至该过孔的内部的腔体，以及其中，该块体半导体材料的一部分定义该腔体的至少一个侧壁；

在该腔体内形成至该过孔的该顶部表面的金属塞，以使该金属塞共形接触该腔体的侧壁以及该过孔的该内部，其中，该金属塞位于该过孔的外部侧壁的横向远侧；以及

在该结构上形成第一金属层级，以使该第一金属层级内的导电金属与该金属塞电性耦接。

9.如权利要求8所述的方法，还包括在所述形成该金属塞以后，平坦化该过孔的该顶部表面。

10.如权利要求8所述的方法，其中，该导电金属的外表面包括难熔金属衬里，以及其中，该难熔金属衬里将该导电金属与该过孔隔开。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该难熔金属衬里包括钽(Ta)及氮化钽(TaN)的其中一种。

12.如权利要求8所述的方法，其中，该金属塞包括钨(W)、钴(Co)、钌(Ru)及铝(Al)的其中一种。

13.如权利要求8所述的方法，其中，所述以该金属塞选择性填充该过孔的该腔体包括单步骤选择性金属沉积。

14.如权利要求8所述的方法，其中，该过孔位于局部互连(LI)层级的绝缘体内。

15.一种集成电路(IC)结构，包括：

过孔，其包括块体半导体材料在其中并位于绝缘体内，其中，该过孔包括自该过孔的顶部表面延伸至该过孔的内部的金属塞，以使该金属塞共形接触该过孔的该内部以及该块体半导体材料的至少一个侧壁，其中，该金属塞位于该过孔的外部侧壁的横向远侧，以及其中，该金属塞的材料组成不同于该过孔的材料组成；以及

难熔金属衬里，其位于该过孔的该金属塞上，其中，该难熔金属衬里将该金属塞与位于该过孔上方的导电金属隔开。

16.如权利要求15所述的集成电路结构，其中，该导电金属位于后端工艺(BEOL)堆叠的第一金属层级内。