[发明专利]一种具有高性能的半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 201710060248.0 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN106711190A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张振中;颜剑;和巍巍;汪之涵;孙军 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高性能的半导体器件及制造方法，所述半导体器件包括结型势垒肖特基二极管，所述结型势垒肖特基二极管远离表面区域的P杂质区域面积增大而肖特基电极的接触面积保持不变，用于降低所述肖特基二极管的反向电场强度；其制造方法包括主要在于如下步骤在二氧化硅做掩蔽层保护的前提下，将具有倾斜角度的离子注入沟槽底部，对沟槽底部进行多次注入掺杂；进行P杂质区淀积，填充沟槽区；填充完成后，再将淀积的P杂质区进行研磨，磨至N杂质区；进行肖特基金属电极的淀积和多层欧姆接触金属的淀积；用蒸发或溅射方式形成背面金属接触。该发明可进一步缓解正向电流特性和反向漏电特性不可同向改善的矛盾。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 性能 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括结型势垒肖特基二极管，所述结型势垒肖特基二极管的远离表面区域的P型杂质区域向下、向外扩张至N型外延层区使形成的PN结与同等注入宽度、同等掺杂深度的P型杂质区域形成的PN结相比增大，从而降低所述肖特基二极管的反向电场强度。
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