[发明专利]处理基板的方法有效
| 申请号： | 201710057486.6 | 申请日： | 2017-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN107026073B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 森数洋司 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;李艳芳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 处理基板的方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，第一表面具有器件区域(20)，其中，器件区域(20)中形成有多个器件(21)。该方法包括以下步骤：在沿着第二表面(2b)的多个位置中从第二表面(2b)侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以便在基板(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从第二表面(2b)朝向第一表面(2a)延伸。每个孔区域(23)由改性区域(232)和改性区域(232)中向第二表面(2b)开放的空间(231)组成。该方法还包括以下步骤：研磨基板(2)的其中已经形成多个孔区域(23)的第二表面(2b)，以调节基板厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种处理基板(2)的方法，所述基板具有第一表面(2a)和与所述第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，所述第一表面具有器件区域(20)，其中，所述器件区域(20)中形成有多个器件(21)，所述方法包括以下步骤：在沿着所述第二表面(2b)的多个位置中从所述第二表面(2b)侧向所述基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以便在所述基板(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从所述第二表面(2b)朝向所述第一表面(2a)延伸，其中，每个孔区域(23)由改性区域(232)和在所述改性区域(232)中向所述第二表面(2b)开放的空间(231)组成；以及研磨所述基板(2)的已经形成所述多个孔区域(23)的所述第二表面(2b)，以调节基板厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
