[发明专利]处理基板的方法

说明书

处理基板的方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，第一表面具有器件区域(20)，其中，器件区域(20)中形成有多个器件(21)。该方法包括以下步骤：在沿着第二表面(2b)的多个位置中从第二表面(2b)侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以便在基板(2)中形成多个孔区域(23)，每个孔区域(23)从第二表面(2b)朝向第一表面(2a)延伸。每个孔区域(23)由改性区域(232)和改性区域(232)中向第二表面(2b)开放的空间(231)组成。该方法还包括以下步骤：研磨基板(2)的其中已经形成多个孔区域(23)的第二表面(2b)，以调节基板厚度。

技术领域

本发明涉及一种处理基板的方法，该基板具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，第一表面具有器件区域，其中，器件区域中形成有多个器件。

背景技术

在光学器件制造处理中，例如由n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层组成的光学器件层形成在单晶基板(诸如蓝宝石基板、碳化硅(SiC)基板或氮化镓(GaN)基板)的前侧上，或者形成在玻璃基板的前侧上。光学器件层形成在单晶基板或玻璃基板的前侧上的器件区域中。

光学器件层由交叉分隔线(还被称为“街道”)来分隔，以限定分别形成诸如发光二极管(LED)和激光二极管的光学器件的单独区域。通过在单晶基板或玻璃基板的前侧上提供光学器件层，形成光学器件晶圆。光学器件晶圆沿着分隔线被分离(例如被切割)，以划分形成光学器件的单独区域，从而获得作为芯片或管芯的各个光学器件。

还采用大致与上面详细说明的相同方法来从基板(诸如单晶基板、玻璃基板、复合基板或多晶基板)获得例如各个半导体器件、电源器件、医疗器件、电气部件或MEMS器件，基板具有形成这些器件的器件区域。

上面提及的制造处理通常包括用于调节基板厚度的研磨步骤。研磨步骤从基板的与上面形成器件区域的基板前侧相反的后侧开始执行。

特别地，为了实现电子设备的尺寸减小，必须减小器件(诸如光学器件、半导体器件、电源器件、医疗器件、电气部件或MEMS器件)的尺寸。因此，在上述研磨步骤中将上面形成有器件的基板研磨到μm范围(例如在从30μm到200μm的范围内)的厚度。

然而，在已知器件制造处理中，诸如例如通过燃烧基板表面或不稳定且缓慢的研磨处理(尤其是在基板由难以研磨的材料制成时，材料诸如玻璃、硅(Si)、砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、磷化镓(GaP)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、碳化硅(SiC)、氮化硅(SiN)、钽酸锂(LT)、铌酸锂(LN)、蓝宝石(Al₂O₃)、氮化铝(AlN)、氧化硅(SiO₂)等)，在研磨处理中产生诸如对基板的损坏的问题。

进一步地，当研磨由这种难以处理的材料制成的基板时，发生所使用的研磨装置的显著磨损，这导致研磨装置(特别是其中包括的磨轮)减少的使用寿命，由此导致增加的处理成本。

因此，仍然需要允许以高效、可靠且成本有效的方式处理基板的处理基板的方法。

发明内容

因此，本发明的目的是提供一种允许以高效、可靠且成本有效的方式处理基板的处理基板的方法。该目标由具有权利要求1的技术特征的基板处理方法来实现。本发明的优选实施方式遵循从属权利要求。

本发明提供了一种处理基板的方法，该基板具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，第一表面具有器件区域，其中，器件区域中形成有多个器件。该方法包括以下步骤：在沿着第二表面的多个位置中从第二表面侧向基板施加脉冲激光束，以便在基板中形成多个孔区域，每个孔区域从第二表面朝向第一表面延伸。每个孔区域由改性区域和改性区域中向第二表面开放的空间组成。该方法还包括以下步骤：研磨基板的已经形成多个孔区域的第二表面，以调节基板厚度。