[发明专利]发光器件及其制造方法

摘要

可以制造的发光器件包括：在衬底上的包括第一掺杂剂的n型半导体层、在n型半导体层上的有源层以及在有源层上的包括第二掺杂剂的p型半导体层。可以根据第一成层工艺和第二成层工艺中的至少一个来形成发光器件。第一成层工艺可以包括：根据离子注入工艺将第一掺杂剂注入n型半导体层，并且第二成层工艺可以包括根据离子注入工艺将第二掺杂剂注入p型半导体层中。形成包括离子注入的掺杂剂在内的半导体层可以包括在离子注入之后对半导体层进行热退火。p型半导体层可以包括浓度为约1×1017原子/cm3至约1×1018原子/cm3的镁‑氢(Mg‑H)复合物。

主权项

一种制造发光器件的方法，所述方法包括：根据第一成层工艺和第二成层工艺之一，在衬底上形成n型半导体层、有源层和p型半导体层；第一成层工艺包括：在衬底上形成n型半导体层，所述n型半导体层包括离子注入的第一掺杂剂；在n型半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成p型半导体层，所述p型半导体层包括第二掺杂剂；以及第二成层工艺包括：在衬底上形成n型半导体层，所述n型半导体层包括第一掺杂剂；在n型半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成p型半导体层，所述p型半导体层包括离子注入的第二掺杂剂。