[发明专利]发光器件及其制造方法

说明书

可以制造的发光器件包括：在衬底上的包括第一掺杂剂的n型半导体层、在n型半导体层上的有源层以及在有源层上的包括第二掺杂剂的p型半导体层。可以根据第一成层工艺和第二成层工艺中的至少一个来形成发光器件。第一成层工艺可以包括：根据离子注入工艺将第一掺杂剂注入n型半导体层，并且第二成层工艺可以包括根据离子注入工艺将第二掺杂剂注入p型半导体层中。形成包括离子注入的掺杂剂在内的半导体层可以包括在离子注入之后对半导体层进行热退火。p型半导体层可以包括浓度为约1×10¹⁷原子/cm³至约1×10¹⁸原子/cm³的镁‑氢(Mg‑H)复合物。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年3月10日在韩国知识产权局提出的韩国专利申请No.10-2016-0029096的优先权，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及发光器件及其制造方法，更具体地，涉及包括多个III-V族半导体层的发光器件及其制造方法。

背景技术

由于发光二极管(LED)比常规光源具有更长的寿命和更低的功消，LED已被包括在各种产品(包括显示设备的照明装置和背光单元 (BLU))中。通常，LED包括多个III-V族半导体层，并由于电子和空穴之间的重新组合而发光。在一些情况下，难以形成具有高晶体质量的多个III-V族半导体层，因此，可能劣化LED的发光效率。

发明内容

本发明构思提供了具有高发光效率的发光器件。

本发明构思还提供了制造具有高发光效率的发光器件的方法。

根据本发明构思的一些示例实施例，制造发光器件的方法可以包括：根据第一成层工艺和第二成层工艺之一，在衬底上形成n型半导体层、有源层和p型半导体层。第一成层工艺可以包括：在衬底上形成包括离子注入的第一掺杂剂的n型半导体层，在n型半导体层上形成有源层，以及在有源层上形成包括第二掺杂剂的p型半导体层。第二成层工艺可以包括：在衬底上形成n型半导体层，所述n型半导体层包括第一掺杂剂；在n型半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成p型半导体层，所述p型半导体层包括离子注入的第二掺杂剂。

根据本发明构思的一些示例实施例，提供了一种发光器件。所述器件可以包括衬底、在衬底上的n型半导体层、在n型半导体层上的有源层、和在有源层上的p型半导体层，其中所述n型半导体层包括第一掺杂剂，且所述p型半导体层包括第二掺杂剂。p型半导体层可以包括浓度为约1×10¹⁷原子/cm³至约1×10¹⁸原子/cm³的镁-氢(Mg-H) 复合物。

根据本发明构思的一些示例实施例，提供了一种发光器件。所述器件可以包括衬底、在衬底上的n型半导体层、在n型半导体层上的有源层、和在有源层上的p型半导体层，其中所述n型半导体层包括第一掺杂剂，且所述p型半导体层包括第二掺杂剂。p型半导体层中的第二掺杂剂的第一峰值浓度可以大于约1×10²⁰原子/cm³。

根据一些示例实施例，制造发光器件的方法可以包括：在衬底上形成n型半导体层，所述n型半导体层包括第一掺杂剂；在n型半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成p型半导体层，所述p型半导体层包括第二掺杂剂，所述第二掺杂剂在所述p型半导体层中具有峰值浓度且所述峰值浓度大于约1×10²⁰原子/cm³。

根据一些示例实施例，制造发光器件的方法可以包括：在衬底上形成n型半导体层，所述n型半导体层包括离子注入的第一掺杂剂；在n型半导体层上形成有源层；以及在有源层上形成p型半导体层，所述p型半导体层包括离子注入的第二掺杂剂。

附图说明

根据接下来结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：