[发明专利]发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

根据成层工艺，在衬底上形成n型半导体层、有源层和p型半导体层；

其中所述成层工艺包括：

在衬底上形成n型半导体层，所述n型半导体层包括第一掺杂剂，其中，第一掺杂剂在沿第一方向的第一垂直位置中具有第一峰值浓度，所述第一方向与所述衬底的顶面垂直；

在n型半导体层上形成有源层；以及

在有源层上形成p型半导体层，其中形成p型半导体层包括：

在有源层上形成未掺杂的第二半导体层，所述未掺杂的第二半导体层不含第二掺杂剂；

将第二掺杂剂的离子注入未掺杂的第二半导体层以形成第二半导体层，其中第二掺杂剂在第一方向上的第二垂直位置中具有第二峰值浓度，所述第一方向与衬底的顶面垂直，并且第二峰值浓度大于1×10²⁰原子/cm³；以及

在将第二掺杂剂的离子注入未掺杂的第二半导体层之后，对第二半导体层进行热退火。

2.根据权利要求1所述的方法，其中p型半导体层中的第二掺杂剂的浓度在第一方向上具有高斯分布，所述第一方向与衬底的顶面垂直。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在800℃到1100℃的温度下在氮气气氛中执行对第二半导体层的热退火。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在p型半导体层上形成p型接触层，所述p型接触层包括第三掺杂剂，其中形成p型接触层包括：

在p型半导体层上形成未掺杂的第三半导体层，所述未掺杂的第三半导体层不含第三掺杂剂；

将第三掺杂剂的离子注入未掺杂的第三半导体层以形成第三半导体层；以及

在将第三掺杂剂的离子注入未掺杂的第三半导体层之后，对第三半导体层进行热退火。

5.根据权利要求4所述的方法，其中p型接触层中的第三掺杂剂在沿第一方向上的第三垂直位置中具有第三峰值浓度，所述第一方向与衬底的顶面垂直。

6.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成n型半导体层，所述n型半导体层包括第一掺杂剂；

在n型半导体层上形成有源层；以及

在有源层上形成p型半导体层，所述p型半导体层包括第二掺杂剂，所述第二掺杂剂在p型半导体层中具有峰值浓度，所述峰值浓度大于1×10²⁰原子/cm³，并且

所述p型半导体层包括浓度为1×10¹⁷原子/cm³至1×10¹⁸原子/cm³的镁-氢(Mg-H)复合物，

其中形成所述p型半导体层包括：

在有源层上形成初始p型半导体层，所述初始p型半导体层包括第一浓度的第二掺杂剂；

将第二掺杂剂的离子注入初始p型半导体层；以及

在将第二掺杂剂的离子注入初始p型半导体层之后，对初始p型半导体层进行热退火。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述峰值浓度沿着第一方向位于p型半导体层中的第一垂直位置处，所述第一方向与衬底的顶面垂直。

8.根据权利要求6所述的方法，其中形成初始p型半导体层包括：将第二掺杂剂原位掺杂到初始p型半导体层中。