[发明专利]存储阵列

摘要

本发明公开了一种存储阵列，包括多个存储分页，每一存储分页包括多个存储单元，每一存储单元包括浮接栅极模块、控制组件及清除组件。浮接栅极模块设置于第一井区、清除组件设置于第二井区，而控制组件设置于第三井区。第一井区、第二井区及第三井区设置于相同的深参杂区，且多个存储分页中的存储单元都设置于相同的深参杂区。因此，深参杂区之间的隔离空间规则就不会造成存储阵列的面积限制，使得存储阵列的面积能够降低。

主权项

一种存储阵列，其特征在于，包括：多个存储分页，每一存储分页包括多个存储单元，每一存储单元包括：浮接栅极模块，包括浮接栅极晶体管，所述浮接栅极模块用以根据源极线、位线及字符线控制所述浮接栅极晶体管，所述浮接栅极晶体管具有第一端、第二端，及浮接栅极；控制组件，具有基极端耦接于控制线、第一端耦接于所述基极端、第二端耦接于所述基极端，及控制端耦接于所述浮接栅极；及清除组件，具有基极端、第一端耦接于清除线、第二端耦接于所述清除组件的所述第一端或浮接，及控制端耦接于所述浮接栅极，所述清除组件的基极端用以在所述存储单元的写入操作或写入禁止操作期间接收第一电压，及在所述存储单元的清除操作期间接收第二电压；其中：所述浮接栅极模块是设置于第一井区；所述清除组件是设置于第二井区；所述控制组件是设置于第三井区；所述第一井区、所述第二井区及所述第三井区是设置于深参杂区；所述多个存储分页的多个存储单元是设置于所述深参杂区；在所述写入操作期间，所述控制线是处在所述第一电压；及在所述清除操作期间，所述清除线是处在所述第二电压。