[发明专利]存储阵列

权利要求书

1.一种存储阵列，其特征在于，包括：

多个存储分页，每一存储分页包括多个存储单元，每一存储单元包括：

浮接栅极模块，包括浮接栅极晶体管，所述浮接栅极模块用以根据源极线、位线及字符线控制所述浮接栅极晶体管，所述浮接栅极晶体管具有第一端、第二端，及浮接栅极；

控制组件，具有基极端耦接于控制线、第一端耦接于所述基极端、第二端耦接于所述基极端，及控制端耦接于所述浮接栅极；及

清除组件，具有基极端、第一端耦接于清除线、第二端耦接于所述清除组件的所述第一端或浮接，及控制端耦接于所述浮接栅极，所述清除组件的基极端用以在所述存储单元的写入操作或写入禁止操作期间接收第一电压，及在所述存储单元的清除操作期间接收第二电压；

其中：

所述浮接栅极模块是设置于第一井区；

所述清除组件是设置于第二井区；

所述控制组件是设置于第三井区；

所述第一井区、所述第二井区及所述第三井区是设置于深参杂区；

所述多个存储分页的多个存储单元是设置于所述深参杂区；

在所述清除操作期间，所述清除线是处在所述第二电压；及

在所述存储单元的所述写入操作期间：

所述控制线是处在所述第一电压；

所述清除线是处在第三电压；

所述字符线是处在第四电压；

所述源极线是处在第五电压；

所述位线是处在所述第五电压；

所述第一电压大于所述第三电压，所述第三电压大于所述第四电压，所述第四电压大于所述第五电压；

所述第三电压与所述第五电压之间的差值大于所述第一电压与所述第五电压之间的差值的一半；及

所述第五电压与所述第四电压之间的差值小于所述第一电压与所述第五电压之间的所述差值的一半。

2.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于：

于相同的存储分页的多个存储单元是耦接于相同的控制线、相同的清除线，及相同的字符线；及

在相同的所述存储分页的所述多个存储单元是耦接于相异的源极线及相异的位线。

3.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于在所述存储单元的所述写入操作期间：

耦接于未选定存储分页的未选定存储单元的控制线是处在第六电压；

耦接于所述未选定存储单元的清除线是处在所述第三电压；及

耦接于所述未选定存储单元的字符线是处在所述第四电压；

所述第三电压是大于所述第六电压，且所述第六电压是大于所述第五电压；及

所述第六电压与所述第五电压之间的差值小于所述第一电压与所述第五电压之间的所述差值的一半。

4.如权利要求1所述的存储阵列，其特征在于在所述存储单元的所述写入禁止操作期间：

所述控制线是处在所述第一电压；

所述清除线是处在所述第三电压；

所述字符线是处在所述第四电压；

所述源极线是处在所述第四电压或第七电压；

所述位线是处在所述第四电压或所述第七电压；

所述第一电压是大于所述第七电压，且所述第七电压是大于或等于所述第四电压；及

所述第七电压与所述第五电压之间的差值小于所述浮接栅极晶体管的源极/漏极接口崩溃电压。