[发明专利]降低逆向漏电流的SiCMOSFET组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710035516.3 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN106920834A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;古一夫;陈俊峰;周雯 | 申请（专利权）人： | 厦门芯晶亮电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 361028 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件及其制造方法，降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件包括金属层等，N型漏极层位于N型碳化硅基板的底端，栅极绝缘层、P型植入区都位于N型碳化硅基板的顶端，P型植入区位于P阱的下方，源极层、P阱都位于栅极绝缘层的侧面，源极层位于P阱的上方，多晶硅层位于栅极绝缘层内，源极层、多晶硅层、栅极绝缘层都位于绝缘层的下方，绝缘层位于金属层内。本发明改变空乏区和电场的分布，避免高电场出现在P型silicon接口的缺陷区域，因此可以降低组件的逆向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 逆向 漏电 sicmosfet 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件，其特征在于，包括金属层、绝缘层、源极层、P阱、多晶硅层、栅极绝缘层、P型植入区、N型碳化硅基板、N型漏极层，N型漏极层位于N型碳化硅基板的底端，栅极绝缘层、P型植入区都位于N型碳化硅基板的顶端，P型植入区位于P阱的下方，源极层、P阱都位于栅极绝缘层的侧面，源极层位于P阱的上方，多晶硅层位于栅极绝缘层内，源极层、多晶硅层、栅极绝缘层都位于绝缘层的下方，绝缘层位于金属层内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门芯晶亮电子科技有限公司，未经厦门芯晶亮电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710035516.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种化工用固液原料高效搅拌混合设备
- 下一篇：没有多晶硅发射极的联栅晶体管
- 同类专利
- 专利分类
