[发明专利]降低逆向漏电流的SiCMOSFET组件及其制造方法

权利要求书

1.一种降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件，其特征在于，包括金属层、绝缘层、源极层、P阱、多晶硅层、栅极绝缘层、P型植入区、N型碳化硅基板、N型漏极层，N型漏极层位于N型碳化硅基板的底端，栅极绝缘层、P型植入区都位于N型碳化硅基板的顶端，P型植入区位于P阱的下方，源极层、P阱都位于栅极绝缘层的侧面，源极层位于P阱的上方，多晶硅层位于栅极绝缘层内，源极层、多晶硅层、栅极绝缘层都位于绝缘层的下方，绝缘层位于金属层内。

2.一种降低逆向漏电流的SiC MOSFET组件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，N型漏极层位于N型基板的底端，在N型基板上沉积N型SiC，形成N型碳化硅基板；

步骤二，曝光显影后进行SiC蚀刻及P型离子植，在这里P型参杂浓度必须大于N型的SiC浓度，形成P型植入区；

步骤三，P型硅沉积，形成P阱；

步骤四，栅极沟槽曝光显影及蚀刻，形成栅极沟槽結構；

步骤五，蚀刻及光阻去除后沉积薄层N型多晶硅及氧化，形成栅极绝缘层；

步骤六，N型多晶硅沉积及回蚀刻，形成多晶硅层；

步骤七，源极N型重掺杂离子植入，形成源极层；

步骤八，介电层沉积及连接处曝光显影及蚀刻，形成绝缘层；

步骤九，金属层沉积曝光显影及蚀刻，形成金属层。