[发明专利]一种超结器件在审
| 申请号： | 201710020769.3 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106711189A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 杨尊松;王立新;肖超;宋李梅;孙博韬;陆江;罗小梦;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超结器件，包括外延层，外延层中有超结结构，超结结构为交替设置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱，其中，第一掺杂立柱与第二掺杂立柱的掺杂类型不相同；多个表面结构，包括第一掺杂阱区和设置在第一掺杂阱区内的第二掺杂阱区，第一掺杂阱区与第二掺杂阱区的掺杂类型不相同；隔离区，设置在超结结构的第一掺杂立柱与第一掺杂阱区之间，其中，第一掺杂立柱与所述第一掺杂阱区的掺杂类型相同，隔离区与第二掺杂立柱的掺杂类型相同本发明提供的器件，用以解决现有技术中的超结VDMOS，存在的器件反向恢复耗时长的技术问题。实现了大大减少超结器件的反向恢复电荷Qrr，进而提高器件的反向恢复特性的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 | ||
【主权项】：
一种超结器件，其特征在于，所述器件包括：外延层，所述外延层中有超结结构，所述超结结构为交替设置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱，其中，所述第一掺杂立柱与所述第二掺杂立柱的掺杂类型不相同；多个表面结构，所述表面结构包括：第一掺杂阱区和设置在所述第一掺杂阱区内的第二掺杂阱区，所述第一掺杂阱区与所述第二掺杂阱区的掺杂类型不相同；隔离区，设置在所述超结结构的第一掺杂立柱与所述第一掺杂阱区之间，其中，所述第一掺杂立柱与所述第一掺杂阱区的掺杂类型相同，所述隔离区与所述第二掺杂立柱的掺杂类型相同。
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