[发明专利]一种超结器件在审

专利信息
申请号: 201710020769.3 申请日: 2017-01-12
公开(公告)号: CN106711189A 公开(公告)日: 2017-05-24
发明(设计)人: 杨尊松;王立新;肖超;宋李梅;孙博韬;陆江;罗小梦;罗家俊 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78
代理公司: 北京华沛德权律师事务所11302 代理人: 房德权
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 器件
【权利要求书】:

1.一种超结器件,其特征在于,所述器件包括:

外延层,所述外延层中有超结结构,所述超结结构为交替设置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱,其中,所述第一掺杂立柱与所述第二掺杂立柱的掺杂类型不相同;

多个表面结构,所述表面结构包括:第一掺杂阱区和设置在所述第一掺杂阱区内的第二掺杂阱区,所述第一掺杂阱区与所述第二掺杂阱区的掺杂类型不相同;

隔离区,设置在所述超结结构的第一掺杂立柱与所述第一掺杂阱区之间,其中,所述第一掺杂立柱与所述第一掺杂阱区的掺杂类型相同,所述隔离区与所述第二掺杂立柱的掺杂类型相同。

2.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述超结器件为VDMOS器件。

3.如权利要求2所述的器件,其特征在于,所述VDMOS器件为NMOS器件;

所述第一掺杂阱区为P阱区,所述第二掺杂阱区为N阱区,所述第一掺杂立柱为P型立柱,所述所述第二掺杂立柱为N型立柱,所述隔离区为N型掺杂区。

4.如权利要求2所述的器件,其特征在于,所述VDMOS器件为PMOS器件;

所述第一掺杂阱区为N阱区,所述第二掺杂阱区为P阱区,所述第一掺杂立柱为N型立柱,所述所述第二掺杂立柱为P型立柱,所述隔离区为P型掺杂区。

5.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述超结器件为IGBT器件。

6.如权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括:

衬底,所述外延层外延生长在所述衬底上。

7.如权利要求6所述的器件,其特征在于,当所述器件为IGBT器件时,所述衬底包括:

连接的N型衬底和P型衬底。

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