[发明专利]一种超结器件在审
申请号: | 201710020769.3 | 申请日: | 2017-01-12 |
公开(公告)号: | CN106711189A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 杨尊松;王立新;肖超;宋李梅;孙博韬;陆江;罗小梦;罗家俊 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/78 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 器件 | ||
1.一种超结器件,其特征在于,所述器件包括:
外延层,所述外延层中有超结结构,所述超结结构为交替设置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱,其中,所述第一掺杂立柱与所述第二掺杂立柱的掺杂类型不相同;
多个表面结构,所述表面结构包括:第一掺杂阱区和设置在所述第一掺杂阱区内的第二掺杂阱区,所述第一掺杂阱区与所述第二掺杂阱区的掺杂类型不相同;
隔离区,设置在所述超结结构的第一掺杂立柱与所述第一掺杂阱区之间,其中,所述第一掺杂立柱与所述第一掺杂阱区的掺杂类型相同,所述隔离区与所述第二掺杂立柱的掺杂类型相同。
2.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述超结器件为VDMOS器件。
3.如权利要求2所述的器件,其特征在于,所述VDMOS器件为NMOS器件;
所述第一掺杂阱区为P阱区,所述第二掺杂阱区为N阱区,所述第一掺杂立柱为P型立柱,所述所述第二掺杂立柱为N型立柱,所述隔离区为N型掺杂区。
4.如权利要求2所述的器件,其特征在于,所述VDMOS器件为PMOS器件;
所述第一掺杂阱区为N阱区,所述第二掺杂阱区为P阱区,所述第一掺杂立柱为N型立柱,所述所述第二掺杂立柱为P型立柱,所述隔离区为P型掺杂区。
5.如权利要求1所述的器件,其特征在于,所述超结器件为IGBT器件。
6.如权利要求1所述的器件,其特征在于,还包括:
衬底,所述外延层外延生长在所述衬底上。
7.如权利要求6所述的器件,其特征在于,当所述器件为IGBT器件时,所述衬底包括:
连接的N型衬底和P型衬底。
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