[发明专利]一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法有效
| 申请号： | 201710018061.4 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106587030B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 胡宝山;赵文斌 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;C23C16/26;C23C16/02 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 张先芸 |
| 地址： | 400044 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，该方法通过对金属基底先进行高温退火处理，再进行降温退火处理，然后通过化学气相沉积法，在金属基底表面获得石墨烯薄膜。本发明方法提高了金属基底的催化活性，从而降低了石墨烯的生长温度，因此降低了工业生产石墨烯薄膜的能耗及成本，相比传统的化学气相沉积法合成石墨烯薄膜，本发明方法工艺简单，碳源来源广泛，制备的石墨烯薄膜质量高、层数均一且可控。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯薄膜 制备 化学气相沉积 低温化学 气相沉积 金属基 常压 金属基底表面 催化活性 高温退火 合成石墨 退火处理 传统的 石墨烯 均一 可控 薄膜 能耗 生长 | ||
【主权项】：
1.一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将金属基底分别用盐酸、丙酮、去离子水超声清洗5~10min，并除去金属基底表面的水分，然后对金属基底进行高温退火处理，处理条件为：氩气流量300~1000sccm，氢气流量10~100sccm，温度为850~950℃，处理时间10~90min；所述金属基底为铜箔、钴箔、镍箔、铁箔中的至少一种，或者为铜膜、钴膜、镍膜、铁膜中的至少一种；（2）对步骤（1）中经高温退火处理的金属基底进行降温退火处理，处理条件为：在氩气气氛下匀速降温至200~800℃，其中氩气流量为300~1000sccm；（3）待步骤（2）中金属基底降至预定反应温度，通入气体碳源和氩气，进行化学气相沉积，即得到石墨烯薄膜，所述气体碳源为甲烷、乙烷、乙炔、乙烯、丙烷中的至少一种，化学气相沉积条件为：碳源气体流量1~10sccm，氩气流量100~1000sccm，反应时间1~10min。
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