[发明专利]一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法

权利要求书

1.一种常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将金属基底分别用盐酸、丙酮、去离子水超声清洗5~10min，并除去金属基底表面的水分，然后对金属基底进行高温退火处理，处理条件为：氩气流量300~1000sccm，氢气流量10~100sccm，温度为850~950℃，处理时间10~90min；所述金属基底为铜箔、钴箔、镍箔、铁箔中的至少一种，或者为铜膜、钴膜、镍膜、铁膜中的至少一种；

（2）对步骤（1）中经高温退火处理的金属基底进行降温退火处理，处理条件为：在氩气气氛下匀速降温至200~800℃，其中氩气流量为300~1000sccm；

（3）待步骤（2）中金属基底降至预定反应温度，通入气体碳源和氩气，进行化学气相沉积，即得到石墨烯薄膜，所述气体碳源为甲烷、乙烷、乙炔、乙烯、丙烷中的至少一种，化学气相沉积条件为：碳源气体流量1~10sccm，氩气流量100~1000sccm，反应时间1~10min。

2.根据权利要求1所述的常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，步骤（1）中高温退火处理条件为：氩气流量800sccm，氢气流量30sccm，温度950℃，处理时间50min。

3.根据权利要求1所述的常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述金属基底为铜箔。

4.根据权利要求1所述的常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，步骤（2）中降温速率为1~30℃/min。

5.根据权利要求1所述的常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，步骤（2）中金属基底匀速降温至300~700℃。

6.根据权利要求1所述的常压低温化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，所述气体碳源为甲烷。