[发明专利]一种新型的抗辐照器件结构在审
| 申请号： | 201710017928.4 | 申请日： | 2017-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN106611778A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 李平;刘洋 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于抗辐照半导体技术领域，涉及一种基于主流半导体工艺条件的、能够提高器件的抗辐照性能的SOI器件。本发明的抗辐照SOI器件，其特征是通过改变绝缘埋层，降低SOI器件的自加热效应，同时能够降低辐照条件下，背栅表面积累的电荷；通过改变有源区的掺杂结构，降低辐照条件下寄生沟道产生的泄露电流，同时更好的实现体接触；通过改变BTS结构，在保持沟道宽长比不变和有效体接触的情况下，能够降低版图面积。采用本发明可以在兼容主流SOI工艺情况下，具有较小的自加热效应、较小的泄露电流以及较小版图面积等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 辐照 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种新型抗辐照SOI器件结构设计，图6的结构包括1‑硅衬底，位于硅衬底上方的2‑SiO2埋层，通过低剂量、低能量的氧离子注入工艺，能够形成极薄的顶层硅膜和埋氧化层。
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