[发明专利]一种新型的抗辐照器件结构在审
申请号: | 201710017928.4 | 申请日: | 2017-01-10 |
公开(公告)号: | CN106611778A | 公开(公告)日: | 2017-05-03 |
发明(设计)人: | 李平;刘洋 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 辐照 器件 结构 | ||
1.一种新型抗辐照SOI器件结构设计,图6的结构包括1-硅衬底,位于硅衬底上方的2-SiO2埋层,通过低剂量、低能量的氧离子注入工艺,能够形成极薄的顶层硅膜和埋氧化层。
2.在埋氧化层上的3-N+源区和5-N+漏区,3-N+源区的特征在于靠近2-SiO2埋层的地方通过掺杂形成一个P+薄层,源区在该薄层处形成突变,首先通过第一次N+离子注入形成N+有源区,采用同样的掩膜版,第二次采用P+离子注入形成P+薄层,形成掺杂突变的源区结构设计。
3.N+源区的左侧是10-P+有源区,P+有源区的俯视图如图7所示,通过左侧的P+有源区把上下两部分P+有源区连接在一起,最后将N+源区和P+有源区接触孔合并在一起,其特点是在保持有效体接触和NMOS宽长比的同时,有效的降低了版图的面积。
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