[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201710005691.8 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106847756B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 苏磊;代科;杨小飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，包括：在衬底基板上形成具有相同图形的有源层和半导体层；在半导体层上形成源漏金属层的图形；形成用于至少覆盖源漏金属层位于有源层图形之上的侧面的保护层；对半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的沟道区域；去除保护层。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，在形成源漏金属层的图形后，形成用于至少覆盖源漏金属层位于有源层图形之上的侧面的保护层，因而在对半导体层进行刻蚀时，不会对源漏金属层产生腐蚀，并且在形成沟道区域后去除保护层，所以也不会改变薄膜晶体管的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成具有相同图形的有源层和半导体层；在所述半导体层上形成源漏金属层的图形；形成用于至少覆盖所述源漏金属层位于所述有源层图形之上的侧面的保护层；对所述半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的沟道区域；去除所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
