[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，包括：在衬底基板上形成具有相同图形的有源层和半导体层；在半导体层上形成源漏金属层的图形；形成用于至少覆盖源漏金属层位于有源层图形之上的侧面的保护层；对半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的沟道区域；去除保护层。本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，在形成源漏金属层的图形后，形成用于至少覆盖源漏金属层位于有源层图形之上的侧面的保护层，因而在对半导体层进行刻蚀时，不会对源漏金属层产生腐蚀，并且在形成沟道区域后去除保护层，所以也不会改变薄膜晶体管的结构。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimension Switch，ADS)通过同一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push mura)等优点。制作ADS产品主要采用6次掩模工艺，包括：依次在基板上形成栅极金属层(Gate)、有源层(Active)、公共电极层(1^st ITO)、源漏金属层(SD)、钝化层(PVX)、像素电极层(2^nd ITO)层。

现有技术中，如图1所示，在衬底基板100上制作有源层101、半导体层102、源漏金属(SD)层103之后即进行沟道刻蚀(刻掉)，如果SD层103中包含比较活泼的金属或合金，例如AlNd，在进行沟道刻蚀时，反应气体Cl₂容易与SD层103侧面处暴漏在外的比较活泼的金属发生反应，使SD层103受到腐蚀。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置，用以解决现有技术中存在的在进行沟道刻蚀时，反应气体腐蚀源漏金属层的问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

在衬底基板上形成具有相同图形的有源层和半导体层；

在所述半导体层上形成源漏金属层的图形；

形成用于至少覆盖所述源漏金属层位于所述有源层图形之上的侧面的保护层；

对所述半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的沟道区域；

去除所述保护层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，所述保护层的材料为光刻胶；所述形成用于至少覆盖所述源漏金属层位于所述有源层图形之上的侧面的保护层，包括：

在所述源漏金属层上形成第一光刻胶层；

采用形成所述源漏金属层的掩模板，以特定曝光速度对所述第一光刻胶层进行曝光，形成所述保护层的图形。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，所述在所述源漏金属层上形成第一光刻胶层，具体包括：

在形成所述源漏金属层的图形之后，且去除形成所述源漏金属层的图形的第二光刻胶层之前，形成所述第一光刻胶层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，所述去除所述保护层，具体包括：

采用剥离工艺，同时去除所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层。

在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板的制作方法中，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为正性光刻胶时，对所述第一光刻胶层进行曝光的特定曝光速度高于对所述第二光刻胶层进行曝光时采用的曝光速度；