[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201710005691.8 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106847756B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 苏磊;代科;杨小飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成具有相同图形的有源层和半导体层；
在所述半导体层上形成源漏金属层的图形；
形成用于至少覆盖所述源漏金属层位于所述有源层图形之上的侧面的保护层；
对所述半导体层进行刻蚀，形成薄膜晶体管的沟道区域；
去除所述保护层；
所述保护层的材料为光刻胶；所述形成用于至少覆盖所述源漏金属层位于所述有源层图形之上的侧面的保护层，包括：
在所述源漏金属层上形成第一光刻胶层；
采用形成所述源漏金属层的掩模板，以特定曝光速度对所述第一光刻胶层进行曝光，形成所述保护层的图形。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述源漏金属层上形成第一光刻胶层，具体包括：
在形成所述源漏金属层的图形之后，且去除形成所述源漏金属层的图形的第二光刻胶层之前，形成所述第一光刻胶层。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述去除所述保护层，具体包括：
采用剥离工艺，同时去除所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层。
4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为正性光刻胶时，对所述第一光刻胶层进行曝光的特定曝光速度高于对所述第二光刻胶层进行曝光时采用的曝光速度；
所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为负性光刻胶时，对所述第一光刻胶层进行曝光的特定曝光速度低于对所述第二光刻胶层进行曝光时采用的曝光速度。
5.如权利要求1-4任一项所述的制作方法，其特征在于，所述源漏金属层为由钼、铝、钕化铝、钛或铜中的一种或多种构成的单层膜或多层膜。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述源漏金属层为由钼金属层、钕化铝金属层以及钼金属层构成的三层膜。
7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板由如权利要求1-6任一项所述的制作方法制作而成。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为高级超维场开关型液晶显示阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
