[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680088616.6 | 申请日： | 2016-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN109690740B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 加地考男;吉浦康博 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于简便地进行电气特性试验，该电气特性试验是为了相对于电极的图案缺陷或者缺损而保证半导体装置的品质。本发明涉及的半导体装置的制造方法，针对具有半导体衬底(1)、在半导体衬底(1)的第1主面(1a)侧形成的第1半导体层(2)、在第1半导体层(2)之上与其接触地形成的第1电极膜(5)的半导体装置，从第1电极膜(5)之上，进行与第1电极膜(5)的材料相比针对第1半导体层(2)的半导体材料的选择比高的第1蚀刻，将第1半导体层(2)的位于第1电极膜(5)的图案缺陷部位(5a)或者缺损部位(5b)之下的区域至少部分地去除，在第1电极膜(5)的图案缺陷部位(5a)或者缺损部位(5b)形成电极膜(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其中，针对具有半导体衬底(1)、在所述半导体衬底(1)的第1主面(1a)侧形成的第1半导体层(2)、在所述第1半导体层(2)之上与所述第1半导体层(2)接触地形成的第1电极膜(5)的半导体装置，从所述第1电极膜(5)之上进行与所述第1电极膜(5)的材料相比针对所述第1半导体层(2)的半导体材料的选择比高的第1蚀刻，将所述第1半导体层(2)的位于所述第1电极膜(5)的图案缺陷部位(5a)或者缺损部位(5b)之下的区域至少部分地去除，在所述第1电极膜(5)的图案缺陷部位(5a)或者缺损部位(5b)形成电极膜(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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