[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其中，

针对具有半导体衬底、在所述半导体衬底的第1主面侧形成的第1半导体层、在所述第1半导体层之上与所述第1半导体层接触地形成的第1电极膜、在所述半导体衬底的与所述第1主面相对的第2主面侧形成的第2半导体层、在所述第2半导体层之上与所述第2半导体层接触地形成的第2电极膜的半导体装置，从所述第1电极膜之上进行与所述第1电极膜的材料相比针对所述第1半导体层的半导体材料的选择比高的第1蚀刻，将所述第1半导体层的位于所述第1电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位之下的区域至少部分地去除，

在所述第1电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位形成电极膜，并且，

从所述第2电极膜之上，进行与所述第2电极膜的材料相比针对所述第2半导体层的半导体材料的选择比高的第2蚀刻，将所述第2半导体层的位于所述第2电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位之下的区域至少部分地去除，

在所述第2电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位形成电极膜。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过所述第1蚀刻，将所述第1半导体层的位于所述第1电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位之下的区域完全去除。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过所述第1蚀刻，将所述第1半导体层的位于所述第1电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位之下的区域部分地去除。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过所述第2蚀刻，将所述第2半导体层的位于所述第2电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位之下的区域完全去除。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

通过所述第2蚀刻，将所述第2半导体层的位于所述第2电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位之下的区域部分地去除。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1蚀刻和所述第2蚀刻同时进行。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1蚀刻和所述第2蚀刻在不同的时间进行。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1半导体层是第1导电型的半导体层以及第2导电型的半导体层的超级结构造。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第1半导体层是Si层。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述第2半导体层是Si层。