[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明的目的在于简便地进行电气特性试验，该电气特性试验是为了相对于电极的图案缺陷或者缺损而保证半导体装置的品质。本发明涉及的半导体装置的制造方法，针对具有半导体衬底(1)、在半导体衬底(1)的第1主面(1a)侧形成的第1半导体层(2)、在第1半导体层(2)之上与其接触地形成的第1电极膜(5)的半导体装置，从第1电极膜(5)之上，进行与第1电极膜(5)的材料相比针对第1半导体层(2)的半导体材料的选择比高的第1蚀刻，将第1半导体层(2)的位于第1电极膜(5)的图案缺陷部位(5a)或者缺损部位(5b)之下的区域至少部分地去除，在第1电极膜(5)的图案缺陷部位(5a)或者缺损部位(5b)形成电极膜(8)。

技术领域

本发明涉及半导体装置的电极图案缺陷或者电极缺损。

背景技术

就功率半导体芯片而言，作为与元件区域的半导体层接触地形成的电极，使用了金属膜(例如专利文献1)。在功率半导体芯片的制造工序中，有时在电极图案产生缺陷，或在形成电极之后电极出现缺损，防止这些情况是极其困难的。

因此，进行电气特性试验，保证功率半导体芯片的品质或者电气特性。

专利文献1：日本特开2011-009768号公报

发明内容

在作为电气特性试验的一个例子的AC试验(Alternating Currentcharacteristic test)中，需要考虑到在使电流或者电场集中于图案缺陷或者电极缺损部位的同时不给合格品带来由试验引起的损伤，而对电流或者电压施加条件进行设定。该电流或者电压施加条件应根据电极图案的缺陷或者电极缺损的大小或者程度而决定。但是，电极图案的缺陷或者电极缺损是意外地产生的，无法对其大小或者程度等进行控制，因此电流或者电压施加条件的设定需要大量的工作量，试验需要大量的时间。

本发明就是鉴于上述的问题而提出的，其目的在于简便地进行电气特性试验，该电气特性试验是为了相对于电极的图案缺陷或者缺损而保证半导体装置的品质。

本发明涉及的半导体装置的制造方法，针对具有半导体衬底、在半导体衬底的第1主面侧形成的第1半导体层、在第1半导体层之上与其接触地形成的第1电极膜的半导体装置，从第1电极膜之上，进行与第1电极膜的材料相比针对第1半导体层的半导体材料的选择比高的第1蚀刻，将第1半导体层的位于第1电极膜的图案缺陷部位或者缺陷部位之下的区域至少部分地去除，在通过第1蚀刻使第1半导体层被去除的区域和第1电极膜之上形成电极膜。

发明的效果

本发明涉及的半导体装置的制造方法，对具有半导体衬底、在半导体衬底的第1主面侧形成的第1半导体层、在第1半导体层之上与其接触地形成的第1电极膜的半导体装置，从第1电极膜之上进行与第1电极膜的材料相比针对第1半导体层的半导体材料的选择比高的第1蚀刻，将第1半导体层的位于第1电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位之下的区域至少部分地去除，在通过第1蚀刻使第1半导体层被去除的区域和第1电极膜之上形成电极膜。根据本发明涉及的半导体装置的制造方法，在第1电极膜存在图案缺陷部位或者缺损部位的情况下，其正下方的第1半导体层被去除规定的厚度的量。这样，能够对第1电极膜的图案缺陷部位或者缺损部位之下的第1半导体层的厚度进行控制，因此能够与第1半导体层的厚度对应地对电气特性试验的试验条件简单地进行设定，能够简便地进行电气特性试验。

本发明的目的、特征、方案以及优点通过以下的详细说明和附图变得更清楚。

附图说明

图1是本发明的前提技术涉及的半导体装置的剖面图。

图2是表示本发明的前提技术涉及的半导体装置的从制造到出厂的流程的流程图。

图3是表示本发明的实施方式1涉及的半导体装置的从制造到出厂的流程的流程图。

图4是本发明的结束了Si蚀刻工序的阶段的半导体装置的剖面图。