[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管制造方法在审
| 申请号： | 201680087069.X | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN109417099A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 松岛吉明;石田茂;高仓良平;宇津木觉;野寺伸武;松本隆夫;道中悟志 | 申请（专利权）人： | 堺显示器制品株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供特性差异小的薄膜晶体管、显示装置以及薄膜晶体管制造方法。薄膜晶体管具备栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、蚀刻阻挡层以及源电极和漏电极。栅电极形成在基板上。栅极绝缘膜形成为覆盖栅电极。半导体层形成在栅极绝缘膜的上侧，半导体层含有多晶硅层，多晶硅层在俯视图中位于由栅电极界定的区域的内侧。蚀刻阻挡层位于多晶硅层的上侧。源电极和漏电极彼此隔着间隔地设置在半导体层上。多晶硅层具有不被蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，源电极的一部分存在于第一区域的上方，漏电极的一部分存在于第二区域的上方。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 多晶硅层 薄膜晶体管 蚀刻阻挡层 栅极绝缘膜 漏电极 源电极 栅电极 薄膜晶体管制造 第二区域 第一区域 显示装置 覆盖栅电极 特性差异 俯视图 基板 界定 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，具备：栅电极，形成在基板上；栅极绝缘膜，形成为覆盖所述栅电极；半导体层，形成在所述栅极绝缘膜的上侧，所述半导体层含有多晶硅层，所述多晶硅层在俯视图中位于由所述栅电极界定的区域的内侧；蚀刻阻挡层，位于所述多晶硅层的上侧；以及源电极和漏电极，彼此隔着间隔地形成在所述半导体层上，所述多晶硅层具有不被所述蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，所述源电极的一部分存在于所述第一区域的上方，所述漏电极的一部分存在于所述第二区域的上方。
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