[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，具备：

栅电极，形成在基板上；

栅极绝缘膜，形成为覆盖所述栅电极；

半导体层，形成在所述栅极绝缘膜的上侧，所述半导体层含有多晶硅层，所述多晶硅层在俯视图中位于由所述栅电极界定的区域的内侧；

蚀刻阻挡层，位于所述多晶硅层的上侧；以及

源电极和漏电极，彼此隔着间隔地形成在所述半导体层上，

所述多晶硅层具有不被所述蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，所述源电极的一部分存在于所述第一区域的上方，所述漏电极的一部分存在于所述第二区域的上方。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述多晶硅层具有所述第一区域和所述第二区域，所述第一区域和所述第二区域在俯视图中位于由所述蚀刻阻挡层界定的区域的外侧。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述多晶硅层具有所述第一区域和所述第二区域，所述第一区域和所述第二区域在俯视图中位于由所述蚀刻阻挡层界定的区域的内侧。

4.根据权利要求2或者3所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一区域和所述第二区域在所述源电极和所述漏电极的分离方向上具有3μm以上的宽度。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述半导体层具备非晶硅层，所述非晶硅层与所述多晶硅层在同一层内。

6.一种显示装置，具有：

多个显示元件；和

权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管选择或者驱动应该进行显示的显示元件。

7.一种薄膜晶体管制造方法，包含：

在基板上形成栅电极；

以覆盖所述栅电极的方式形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜的上侧形成含有非晶硅层的半导体层；

在所述半导体层的上侧形成蚀刻阻挡层；

从所述蚀刻阻挡层的上侧对所述非晶硅层的一部分进行能量束的照射，从而形成多晶硅层，所述多晶硅层在俯视图中位于由所述栅电极界定的区域的内侧；

除去所述蚀刻阻挡层的一部分，使所述多晶硅层具有不被所述蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域；以及

使源电极和漏电极彼此隔着间隔地形成在所述半导体层上，并且，在所述源电极和所述漏电极中，使一个电极的一部分位于所述第一区域的上方，使另一个电极的一部分位于所述第二区域的上方。

8.一种薄膜晶体管制造方法，包含：

在基板上形成栅电极；

以覆盖所述栅电极的方式形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜的上侧形成含有非晶硅层的半导体层；

对所述非晶硅层的一部分进行能量束的照射，从而形成多晶硅层，所述多晶硅层在俯视图中位于由所述栅电极界定的区域的内侧；

在所述半导体层的上侧形成蚀刻阻挡层；

除去所述蚀刻阻挡层的一部分，使所述多晶硅层具有不被所述蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域；

使源电极和漏电极彼此隔着间隔地形成在所述半导体层上，并且，在所述源电极和所述漏电极中，使一个电极的一部分位于所述第一区域的上方，使另一个电极的一部分位于所述第二区域的上方。