[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管制造方法

说明书

本发明提供特性差异小的薄膜晶体管、显示装置以及薄膜晶体管制造方法。薄膜晶体管具备栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、蚀刻阻挡层以及源电极和漏电极。栅电极形成在基板上。栅极绝缘膜形成为覆盖栅电极。半导体层形成在栅极绝缘膜的上侧，半导体层含有多晶硅层，多晶硅层在俯视图中位于由栅电极界定的区域的内侧。蚀刻阻挡层位于多晶硅层的上侧。源电极和漏电极彼此隔着间隔地设置在半导体层上。多晶硅层具有不被蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，源电极的一部分存在于第一区域的上方，漏电极的一部分存在于第二区域的上方。

技术领域

本发明涉及底栅型薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管制造方法。

背景技术

例如在液晶显示器或有机EL(Electro-Luminescence)显示器等显示装置中，薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)被广泛用作各像素的开关元件。

薄膜晶体管具备在基板上形成了栅电极、绝缘层、半导体层(沟道层)、源电极和漏电极的结构。其中，底栅型薄膜晶体管的特征是栅电极比沟道层更靠近基板。

〔专利文献〕

专利文献1:日本专利4109266号公报

发明内容

另外，将底栅型薄膜晶体管制造成沟道蚀刻型薄膜晶体管的情况下，在制造工序中进行沟道层蚀刻，因此，沟道层的残膜控制较困难，存在制造出的薄膜晶体管的特性差异较大的问题。

本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的在于提供特性差异小的薄膜晶体管、使用薄膜晶体管的显示装置以及薄膜晶体管制造方法。

本申请的薄膜晶体管具备栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、蚀刻阻挡层以及源电极和漏电极。所述栅电极形成在基板上。所述栅极绝缘膜形成为覆盖所述栅电极。所述半导体层形成在所述栅极绝缘膜的上侧，所述半导体层含有多晶硅层，所述多晶硅层在俯视图中位于由所述栅电极界定的区域的内侧。所述蚀刻阻挡层位于所述多晶硅层的上侧。所述源电极和所述漏电极彼此隔着间隔地设置在所述半导体层上。所述多晶硅层具有不被所述蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，所述源电极的一部分存在于所述第一区域的上方，所述漏电极的一部分存在于所述第二区域的上方。

本申请的显示装置具备多个显示元件和上述本申请的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管选择或者驱动应该进行显示的显示元件。

本申请的一观点所涉及的薄膜晶体管制造方法包含：在基板上形成栅电极；以覆盖所述栅电极的方式形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜的上侧形成含有非晶硅层的半导体层；在所述半导体层的上侧形成蚀刻阻挡层；从所述蚀刻阻挡层的上侧对所述非晶硅层的一部分进行能量束的照射，从而形成多晶硅层，所述多晶硅层在俯视图中位于由所述栅电极界定的区域的内侧；除去所述蚀刻阻挡层的一部分，使所述多晶硅层具有不被所述蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域；使源电极和漏电极彼此隔着间隔地形成在所述半导体层上，并且，在所述源电极和所述漏电极中，使一个电极的一部分位于所述第一区域的上方，使另一个电极的一部分位于所述第二区域的上方。

本申请的另一观点所涉及的薄膜晶体管制造方法包含：在基板上形成栅电极；以覆盖所述栅电极的方式形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜的上侧形成含有非晶硅层的半导体层；对所述非晶硅层的一部分进行能量束的照射，从而形成多晶硅层，所述多晶硅层在俯视图中位于由所述栅电极界定的区域的内侧；在所述半导体层的上侧形成蚀刻阻挡层；除去所述蚀刻阻挡层的一部分，使所述多晶硅层具有不被所述蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域；使源电极和漏电极彼此隔着间隔地形成在所述半导体层上，并且，在所述源电极和所述漏电极中，使一个电极的一部分位于所述第一区域的上方，使另一个电极的一部分位于所述第二区域的上方。

〔发明效果〕

根据本申请，能够控制沟道层的残膜量，能够减小特性差异。

附图说明